薄栅氮化工艺技术研究  

作　　者：薛东风[1] 刘存生[1] 李齐[1] 

机构地区：[1]西安微电子研究所，西安710054

出　　处：《微电子学与计算机》2003年第B12期71-73,共3页Microelectronics & Computer

摘　　要：介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。

关 键 词：薄栅氮化 MOS集成电路 抗辐射MOS集成电路 栅氧化 栅氧工艺 MOS器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]