李齐

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薄栅氮化工艺技术研究
《微电子学与计算机》2003年第B12期71-73,共3页薛东风 刘存生 李齐 
介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。
关键词：薄栅氮化 MOS集成电路 抗辐射MOS集成电路 栅氧化 栅氧工艺 MOS器件 
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