深亚微米部分耗尽型SOI MOSFET的建模及特征提取方法  

Modeling and characterization of deep-submicron PD SOI MOSFET

作　　者：唐威[1] 吴龙胜[1] 刘存生[1] 刘佑宝[1] 

机构地区：[1]西安微电子技术研究所计算机研发部,西安710054

出　　处：《吉林大学学报（工学版）》2011年第3期782-786,共5页Journal of Jilin University:Engineering and Technology Edition

基　　金：'十一五'国防预研项目

摘　　要：基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PD SOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法。根据上述方法对西安微电子技术研究所0.35μm工艺条件下的PD SOI器件进行了建模和验证,结果显示所建立的模型与测试数据吻合,表明本文所提方法的准确性及有效性。Based on BSIM SOI model the self-heating effect, body contact effect and floating body effect of deep-submicron PD SOl MOSFET devices are investigated. The methods of modeling and parameter extraction of PD SOl MOSFET are developed. The above methods are applied to the devices fabricated in 0.35 μm PD SOI process in Xi＇an Mieroelectronics Technology Institute. The extracted device model shows good agreement with experimental data, which validates the accuracy, effectiveness of the proposed methodology.

关 键 词：半导体技术 器件建模 BSIMSOI 部分耗尽型绝缘体上硅 参数提取 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN386.1