薄硅膜SOI N型LDMOS浮体效应优化研究  

作　　者：纪旭明 邵红 李金航 顾祥 张庆东 谢儒彬 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十八研究所 [2]集成电路与微系统全国重点实验室

出　　处：《中国集成电路》2024年第6期72-74,81,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SOI功率集成工艺的发展提供了相关解决方法。

关 键 词：PD SOI LDMOS 浮体效应 击穿电压 功率集成 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]