旁栅偏压对GaAs MESFET沟道电流中低频振荡的调制  

作　　者：丁勇[1] 陆生礼[1] 赵福川[1] 

机构地区：[1]国家专用集成电路系统工程技术研究中心,东南大学,南京210096

出　　处：《科学通报》2005年第11期1145-1148,共4页Chinese Science Bulletin

摘　　要：在研究旁栅偏压条件下MESFET输出特性时经常发现沟道电流的低频振荡现象.通过测试不同旁栅电压条件下的GaAsMESFET输出特性,研究了沟道电流的低频振荡现象与旁栅偏压的关系,发现旁栅偏压对沟道电流的低频振荡现象具有调制作用,无论旁栅偏压朝正向还是负向变化都存在一个阈值可以消除此低频振荡.理论分析认为这种调制作用与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.这一结论对于设计低噪声GaAsIC具有十分重要的指导意义.

关 键 词：MESFET 沟道电流 GaAs 低频振荡 栅偏压 振荡现象 输出特性 调制作用 通过测试 碰撞电离 低噪声 EL2 深能级 压条 衬底 IC 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TN304.23