云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 光导半导体开关

光导半导体开关: 作品数：16被引量：43H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信电气工程更多>>; 相关作者：龚仁喜石顺祥孙艳玲张玉明张义门更多>>; 相关机构：西安电子科技大学东莞市五峰科技有限公司中国工程物理研究院中国科学院更多>>; 相关期刊：《光学学报》《西安电子科技大学学报》《光子学报》《Science Bulletin》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国工程物理研究院基金湖南省自然科学基金更多>>

基于光导半导体的MHz高重频可调谐脉冲产生技术研究被引量：2: 《强激光与粒子束》2022年第7期60-65,共6页楚旭王朗宁朱效庆王日品王彬荀涛刘金亮; 国家自然科学基金项目(62071477,62101577);湖南省自然科学基金项目(2021JJ40660)。; 随着微波光子学的发展,新型光导微波技术利用高重频脉冲簇激光,入射到线性光导半导体器件中产生可调谐高功率电磁脉冲的方式受到广泛关注。SiC光导半导体开关(PCSS)具有高击穿场强,高饱和载流子速率,高抗辐射能力,高热传导率和高温工作...; 关键词：光导半导体开关重复频率可调谐亚纳秒脉冲脉冲发生器

氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性被引量：3: 《半导体技术》2021年第6期474-478,共5页卫新发梁国松张育民王建峰徐科; 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404101)。; 氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti...; 关键词：掺Fe GaN 氧化铟锡(ITO) Ti薄层欧姆接触热稳定性光导半导体开关

Experimental Study of Surface Flashover Field of SI-GaAs Photoconductive Semiconductor Switch: 《高电压技术》2013年第8期1919-1924,共6页JI Weili SHI Wei; Project supported by National Natural Science Foundation of China （50837005, 5110 7099）, Foundation of the State Key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equip- ment （EIPE09203）.; With its unique features, photoconductive semiconductor switch (PCSS) is generally recognized today as a promising power electronic device. However, a major limitation of PCSS is its surprisingly low voltage threshold...; 关键词：光导半导体开关 SI-GAAS 沿面闪络实验光电电力电子装置光导开关半绝缘砷化镓

Propagation characteristics of arrayed transient electromagnetic pulses: 《Chinese Science Bulletin》2011年第18期1957-1964,共8页CUI HaiJuan YANG HongChun RUAN ChengLi WU MingHe; supported by the National Natural Science Foundation of China (10804016);the Electromagnetic Pulse Technology and Investigation (RY0504); Starting from the uniform disk current model, an analytical solution for the electromagnetic pulse axial energy radiation is derived and a physical meaning then given to the axial energy propagation characteristics of...; 关键词：电磁脉冲发生器传播特性瞬变 Blumlein形成线光导半导体开关辐射能量阵列天线测量不确定度

高介电常数复合介质固态Blumlein线初步研究: 《中国工程物理研究院科技年报》2008年第1期47-48,共2页陈德彪刘承俊夏连胜戴光森张篁程念安; 高介电常数复合介质固态Blumlein线可能作为一种新的紧凑、轻便的脉冲功率源，应用前景广阔。复合介质克服了陶瓷难加工的缺点，可浇铸成型，方便加工，还可做成薄膜，而且电性能更优异。文中利用国内正在研制的高介电常数复合介质和GaA...; 关键词：Blumlein线高介电常数复合介质固态光导半导体开关脉冲功率源浇铸成型 GAAS

高介电常数复合介质固态Blumlein线被引量：10: 《强激光与粒子束》2007年第1期174-176,共3页陈德彪刘承俊夏连胜戴光森张篁程念安; 中国工程物理研究院基金资助课题(20060428); 以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质，砷化镓光导半导体开关作为开关，设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。实验结果表明，复合介质Blumlein介电常数高达80-250，在21Ω的匹配负载上获得电压幅值为2kV，前沿小于5ns，半高宽约34n...; 关键词：固态Blumlein线复合介质光导半导体开关脉冲功率源

高介电常数复合介质固态Blumlein线: 《中国工程物理研究院科技年报》2006年第1期93-93,共1页陈德彪刘承俊夏连胜戴光森张篁程念安; 高介电常数复合介质固态Blumlein线可能作为一种新的紧凑、轻便的脉冲功率源，应用前景广阔。复合介质克服了陶瓷难加工的缺点，可浇铸成型，方便加工，还可做成薄膜，而且电性能更优异。文中利用国内正在研制的高介电常数复合介质和砷...; 关键词：Blumlein线高介电常数复合介质固态光导半导体开关脉冲功率源浇铸成型电性能

深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响被引量：4: 《光子学报》2003年第1期121-123,共3页张同意石顺祥赵卫龚仁喜孙艳玲; 国家自然科学基金资助项目 (6 97810 0 2 ); 建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程 ,获得了与实验现象定性吻合的电流输出 ,给出了平均载流子随时间演化的情况 .分析结果表明 ,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后 ,有可能对非线性光导开关中发生的一系...; 关键词：光导半导体开关非线性工作模式深能级杂质模型数值分析 PCSS

光放大、控制与器件: 《中国光学》2002年第4期75-76,共2页; TN144 2002042945用光电倍增管测量微光像增强器噪声=Testing thenoise of image intensifier with photo-multipliers[刊,中]/张伟,汪岳峰,董伟(军械工程学院光学教研室.河北,石家庄(050003))∥光电子技术.—2001,21(4).—281-283在微...; 关键词：光电倍增管微光像增强器光电子技术低噪声显示图像时空域光导半导体开关高增益动态特性石家庄

负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响被引量：3: 《光子学报》2002年第4期445-449,共5页张同意石顺祥赵卫龚仁喜孙艳玲; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 9781 0 0 2 ); 对 Ga As光导开关非线性工作时 ,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形 ,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况。计算表明 Ga As材料的负微分迁移率引起的微分...; 关键词：光导半导体开关非线性工作模式负微分迁移率碰撞电离模拟计算 GAAS 砷化镓非线性特性

光导半导体开关