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SI-GAAS: 作品数：50被引量：23H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘彩池孙卫忠徐岳生王海云李国辉更多>>; 相关机构：中国科学院河北工业大学北京师范大学西安理工大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《北京师范大学学报（自然科学版）》《核技术》《电子器件》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>

基于SI-GaAs材料的新型脉冲压缩二极管: 《强激光与粒子束》2021年第10期126-132,共7页屈光辉汪雅馨赵岚徐鸣贾婉丽马丽纪卫莉; 陕西省自然基金科学项目(2020JM-462);国家自然科学基金项目(51877177);陕西高校青年创新团队(21JP085,21JP088);陕西省教育厅科学研究计划服务地方项目(19JC032)。; 针对快前沿高重频脉冲的应用需求,设计并研制了一种基于半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料的新型脉冲压缩二极管,通过实验对其压缩性能和重频运行能力进行了测试。实验结果表明,利用此开关能够将前级脉冲的上升沿压缩约270倍和脉宽压缩14倍;并...; 关键词：SI-GAAS 脉冲压缩二极管重复频率脉冲功率源

VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究: 《天津科技》2019年第2期21-23,共3页边义午; 阐述了VGF法SI-GaAs单晶生长工艺中非平坦形固液界面形成的原因,分析了由此导致的单晶尾部径向电阻率不均匀性分布及单晶可利用率低的原因。在等径生长阶段引入VB走车工艺,并通过实验验证了VB走车工艺的应用效果,有效改善了固液界面形...; 关键词：SI-GAAS 垂直梯度凝固法固液界面电阻率

微带线不连续性对光电导开关非线性特性的影响: 《电子器件》2017年第6期1387-1392,共6页马湘蓉花涛宋宇飞; 南京工程学院引进人才科研启动基金项目(YKJ201418);南京工程学院校级基金项目(CKJB201504;QKJB201406); 实验对全固态同轴!微带型横向半绝缘砷化镓(SI-GaAs)光电导开关传输特性进行了研究:当偏置电压达到一定阈值时,普通开关进入了非线性锁定(Lock-on)工作模式;在相同实验条件下,当微带线出现不连续时,输出的电脉冲波形没有出现锁定现象;...; 关键词：SI-GaAs光电导开关微带线不连续间隙击穿

Experimental Study of Surface Flashover Field of SI-GaAs Photoconductive Semiconductor Switch: 《高电压技术》2013年第8期1919-1924,共6页JI Weili SHI Wei; Project supported by National Natural Science Foundation of China （50837005, 5110 7099）, Foundation of the State Key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equip- ment （EIPE09203）.; With its unique features, photoconductive semiconductor switch (PCSS) is generally recognized today as a promising power electronic device. However, a major limitation of PCSS is its surprisingly low voltage threshold...; 关键词：光导半导体开关 SI-GAAS 沿面闪络实验光电电力电子装置光导开关半绝缘砷化镓

Improved performance of GaAs-based micro-solar cell with novel polyimide/SiO_2/TiAu/SiO_2 structure: 《Science China(Technological Sciences)》2011年第4期830-834,共5页BAI YiMing WANG Jun WANG Yu ZHANG Han CHEN NuoFu YAO JianXi HUANG TianMao WANG YanShuo ZHANG XingWang WU JinLiang; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61006050, 20876040);the Natural Science Foundation of Beijing, China (Grant No. 2102042);the National Basic Research Program of China ("973" Project)(Grant No. 2010CB933800);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (Grant No. 10QG24); A novel interconnected structure consisting of a conventional polyimide layer(PM) and an additional SiO2/TiAu/SiO2 sandwich multilayer has been firstly proposed for improving the performance of GaAs micro-solar cell a...; 关键词：micro-solar cell SI-GAAS leakage current insulating layer

Electrical Field Distribution in Terahertz SI-GaAs Photoconductive Antennas: 《Chinese Physics Letters》2010年第8期169-171,共3页施卫张真真侯磊; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 50837005 and 10876026, and the National Basic Research Program of China under Crant No 2007CB310406.; Terahertz signals emitted from three photoconductive antennae based on semi-insulating GaAs and with different gap sizes are tested. These signals represent that the distribution of electrical field between electrode ...

大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析: 《现代仪器》2009年第5期41-42,50,共3页孙卫忠王娜王丽华郝秋艳刘彩池; 河北省自然科学基金(08B013);河北省科学技术研究与发展指导计划(07215138); 本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区...; 关键词：半绝缘砷化镓 EL2 红外光谱分析

分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究: 《光谱学与光谱分析》2008年第9期2103-2106,共4页王斌徐晓轩秦哲宋宁张存洲; 教育部“振兴计划”项目基金(A01504)资助; 用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了不同Si掺杂浓度(从1016cm-3到1018cm-3)的n-GaAs薄膜。通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析,拉曼位移出现了明显的移动,光学横模TO峰相对的增强,光学纵模LO峰相对的...; 关键词：分子束外延 n-GaAs/SI-GaAs 掺杂浓度拉曼光谱

离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究: 《半导体技术》2008年第S1期42-44,67,共4页王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池; 河北省自然科学基金(08B013);河北省科学与技术研究与发展指导计划(07215138); 用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。...; 关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火

大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期133-136,共4页赵彦桥刘彩池郝秋艳孙卫忠; 国家自然科学基金(批准号:60276009)和河北工业大学博士科研启动基金资助项且; 利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.; 关键词：SI-GAAS 化学腐蚀法位错微缺陷

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