大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷  

Dislocations and Microdefects in Large Diameter SI-GaAs

作　　者：赵彦桥[1] 刘彩池[1] 郝秋艳[1] 孙卫忠[1] 

机构地区：[1]河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期133-136,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60276009)和河北工业大学博士科研启动基金资助项且

摘　　要：利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.

关 键 词：SI-GAAS 化学腐蚀法 位错 微缺陷 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]