宋志勇

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：华东师范大学更多>>
发文主题：磁通动力学磁输运超导INN磁阻效应更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《光学仪器》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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InN超导中的磁通钉扎性质研究
《红外与毫米波学报》2021年第3期321-328,共8页宋志勇 商丽燕 陈平平 褚君浩 AKIO Yamamoto 康亭亭 
国家自然科学基金(11204334,61475178)。
InN是三五族半导体中唯一具有超导性质的材料,在超导体/半导体混合器件领域具有重要的应用价值。运用磁输运的方法,系统性地研究了磁通钉扎对InN超导性质的影响。通过对超导转变过程中的Ⅰ-Ⅴ曲线进行标度,发现InN超导中存在涡旋液体态...
关键词：氮化铟 超导 磁通动力学 钉扎机制 临界电流 
硅掺杂对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格磁输运的影响
《光学仪器》2020年第5期12-19,共8页应志超 宋志勇 陈爱英 林铁 康世雄 
国家自然科学基金(11204334,61475178)。
针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学测量,应用霍尔效应原理,计算各温度下样品的迁移率和载流子浓...
关键词：INAS/GASB超晶格 硅掺杂 弱局域效应 相位相干长度 
InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性被引量：1
《红外与毫米波学报》2017年第3期311-315,共5页张豫徽 宋志勇 陈平平 林铁 田丰 康亭亭 
国家自然科学基金(11204334;61475178)~~
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一个异...
关键词：锑化铟 磁阻效应 弱反局域化效应 界面/表面态 
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