王新华

作品数：5被引量：7H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：电学性能肖特基二极管气体传感器ALGAN/GANGAN更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1387-1390,共4页冯春 王晓亮 王新华 肖红领 王翠梅 胡国新 冉军学 王军喜 
中国科学院知识创新工程(批准号:YYYJ-0701-02);国家自然科学基金(批准号:60576046;60606002);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903;2006CB604905;513270505)资助项目~~
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的CO的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通入1...
关键词：ALGAN/GAN CO 传感器 
AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第1期153-156,共4页王新华 王晓亮 冯春 冉军学 肖红领 杨翠柏 王保柱 王军喜 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60576046)~~
通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空...
关键词：GAN 气体传感器 肖特基二极管 
AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期388-390,共3页王新华 王晓亮 肖红领 王翠梅 冉军学 罗卫军 王保柱 冯春 杨翠柏 马志勇 胡国新 曾一平 李晋闽 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60576046)
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2...
关键词：AlGaN/AlN/GaN异质结 肖特基二极管 势垒高度 
生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期197-199,共3页王保柱 王晓亮 王晓燕 王新华 郭伦春 肖红领 王翠梅 冉军学 王军喜 刘宏新 李晋闽 
中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)...
关键词：RF-MBE 铟铝镓氮 XRD RBS SEM 
蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1382-1385,共4页王保柱 王晓亮 王晓燕 王新华 郭伦春 肖红领 王军喜 刘宏新 曾一平 李晋闽 
中国科学院知识创新工程;国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683;2002CB311903);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304);国家自然科学基金(批准号:60136020)资助项目~~
利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度...
关键词：RF-MBE 铟铝镓氮 RHEED XRD AFM 
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