AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能  

Electrical Characteristic of AlGaN/AlN/GaN Schottky Diode

作　　者：王新华[1] 王晓亮[1] 肖红领[1] 王翠梅[1] 冉军学[1] 罗卫军[1] 王保柱[1] 冯春[1] 杨翠柏[1] 马志勇[1] 胡国新[1] 曾一平[1] 李晋闽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期388-390,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60576046)

摘　　要：利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.

关 键 词：AlGaN/AlN/GaN异质结 肖特基二极管 势垒高度 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]