胡国新

作品数：26被引量：45H指数：4
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：氮化镓金属有机物化学气相沉积MOCVDGAN迁移率更多>>
发文领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《材料科学与工艺》《光电子．激光》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
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AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟被引量：4
《半导体技术》2010年第9期874-876,902,共4页张明兰 王晓亮 杨瑞霞 胡国新 
国家自然科学基金青年科学基金资助(60806004)
用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响。模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿特性;场板长度(LFP,length of field plate)、场板与势垒层...
关键词：ALGAN/GAN 场板 电场峰值 击穿电压 模拟 
高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展被引量：6
《半导体技术》2010年第5期417-422,共6页张明兰 杨瑞霞 王晓亮 胡国新 高志 
国家自然科学基金青年科学基金(60806004)
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视。概述了基于AlGaN/GaN HEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展。从器件的结构特征入手,详细介绍了改善器件击穿特性...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 电力电子器件 化合物半导体材料 异质结构 
AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1387-1390,共4页冯春 王晓亮 王新华 肖红领 王翠梅 胡国新 冉军学 王军喜 
中国科学院知识创新工程(批准号:YYYJ-0701-02);国家自然科学基金(批准号:60576046;60606002);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903;2006CB604905;513270505)资助项目~~
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的CO的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通入1...
关键词：ALGAN/GAN CO 传感器 
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化被引量：2
《半导体技术》2008年第S1期123-126,共4页殷海波 王晓亮 冉军学 胡国新 肖红领 王翠梅 杨翠柏 李晋闽 侯洵 
国家自然科学基金(60576046;60606002);国家"973"重点基础研究(2006CB604905;613270805);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A141);中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上...
关键词：GAN MOCVD 数值模拟 流场 沉积速率 几何结构 
采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期230-233,共4页刘喆 王晓亮 王军喜 胡国新 李建平 曾一平 李晋闽 
中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹...
关键词：SI衬底 ALN缓冲层 GAN 形貌 缺陷 
插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期234-237,共4页郭伦春 王晓亮 胡国新 李建平 罗卫军 
采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降...
关键词：GAN MOCVD ALN 缓冲层 
蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期260-262,共3页肖红领 王晓亮 杨翠柏 胡国新 冉军学 王翠梅 张小宾 李建平 李晋闽 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60606002)
采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均...
关键词：氮化铟 MOCVD 半峰宽 迁移率 
Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期394-397,共4页马志勇 王晓亮 胡国新 肖红领 王翠梅 冉军学 李建平 
中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)以及国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该...
关键词：ALGAN/ALN/GAN Pendell(o)sung条纹 金属有机物化学气相沉积 高电子迁移率晶体管 
SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期402-406,共5页王晓亮 王翠梅 胡国新 马志勇 肖红领 冉军学 罗卫军 唐健 李建平 李晋闽 王占国 
中国科学院知识创新工程(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率管 MOCVD 功率器件 碳化硅衬底 
双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期341-344,共4页姜丽娟 王晓亮 刘超 肖红领 王翠梅 冉军学 胡国新 李建平 
中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
采用双能态Cr+注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD,SQUID和Hall法对3种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCr...
关键词：稀磁半导体 GaCrN 离子注入 铁磁性 
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