蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长  

MOCVD Growth of InN Films on Sapphire Substrates

作　　者：肖红领[1] 王晓亮[1] 杨翠柏[1] 胡国新[1] 冉军学[1] 王翠梅[1] 张小宾[1] 李建平[1] 李晋闽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期260-262,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60606002)

摘　　要：采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/(V·s).

关 键 词：氮化铟 MOCVD 半峰宽 迁移率 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]