插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN  

Growth of GaN on Si(111)by Inserting δAl/AlN Buffer Layer

作　　者：郭伦春[1] 王晓亮[1] 胡国新[1] 李建平[1] 罗卫军[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期234-237,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.通过MOCVD生长方法,利用光学显微镜、XRD和Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小、晶体质量高的GaN材料.

关 键 词：GAN MOCVD ALN 缓冲层 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]