SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制  

High Quality AlGaN/GaN HEMT Materials Grown on SiC Substrates

作　　者：王晓亮[1] 王翠梅[1] 胡国新[1] 马志勇[1] 肖红领[1] 冉军学[1] 罗卫军[1] 唐健[1] 李建平[1] 李晋闽[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期402-406,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院知识创新工程(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目

摘　　要：用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性.

关 键 词：ALGAN/GAN 高电子迁移率管 MOCVD 功率器件 碳化硅衬底 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]