采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌  

Morphology of GaN Film on Si(111)Substrate Using AlN Buffer

作　　者：刘喆[1] 王晓亮[1] 王军喜[1] 胡国新[1] 李建平[1] 曾一平[1] 李晋闽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期230-233,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目

摘　　要：针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.

关 键 词：SI衬底 ALN缓冲层 GAN 形貌 缺陷 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]