刘喆

作品数：7被引量：6H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GAN发光二极管氮化镓衬底多量子阱更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《新材料产业》《材料研究学报》《Journal of Semiconductors》《稀有金属材料与工程》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用被引量：2
《新材料产业》2014年第3期18-20,共3页王军喜 刘喆 魏同波 王国宏 
一．第3代半导体材料概述 第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后，近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）和氮化铝（AlN）等宽禁带化合物半...
关键词：宽禁带半导体材料 第3代 光电器件 抗辐射能力 微电子领域 应用 化合物半导体 大功率器件 
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第3期530-533,共4页林郭强 曾一平 段瑞飞 魏同波 马平 王军喜 刘喆 王晓亮 李晋闽 
使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在c面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率双...
关键词：氮化镓 选区外延 氢化物气相外延 
Si基外延GaN的结构和力学性能
《材料研究学报》2007年第4期409-413,共5页魏同波 王军喜 刘喆 李晋闽 
国家八六三高技术2006AA03A111资助项目.~~
采用MOCVD技术在Si村底〈111〉面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超品格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的...
关键词：无机非金属材料 GAN CL RBS/沟道 临界载荷 
MOCVD生长GaN力学性能研究被引量：2
《稀有金属材料与工程》2007年第3期416-419,共4页魏同波 王军喜 李晋闽 刘喆 段瑞飞 
国家"863"项目资助(2004AA311040)
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度...
关键词：GAN MOCVD 形貌 机械性能 
采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期230-233,共4页刘喆 王晓亮 王军喜 胡国新 李建平 曾一平 李晋闽 
中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹...
关键词：SI衬底 ALN缓冲层 GAN 形貌 缺陷 
Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE
《Journal of Semiconductors》2007年第1期19-23,共5页魏同波 马平 段瑞飞 王军喜 李晋闽 刘喆 林郭强 曾一平 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2004AA311040)~~
Thick GaN films were grown on GaN/sapphire template in a vertical HVPE reactor. Various material characterization techniques,including AFM, SEM, XRD, RBS/Channeling, CL, PL, and XPS, were used to characterize these Ga...
关键词：GAN HVPE CL RBS/channeling yellow emission infrared emission 
在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2378-2384,共7页刘喆 王军喜 李晋闽 刘宏新 王启元 王俊 张南红 肖红领 王晓亮 曾一平 
中国科学院创新工程重要方向性项目;国家自然科学基金重点项目(批准号:60136020);国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683和2002CB311903);国家高技术研究发展规划(批准号:2004AA311040)资助项目~~
采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γAl2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γAl2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γAl2O3...
关键词：GAN MBE Γ-AL2O3 缓冲层 
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