张南红

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：氮化铟RF-MBE缓冲层外延膜INN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
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在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2378-2384,共7页刘喆 王军喜 李晋闽 刘宏新 王启元 王俊 张南红 肖红领 王晓亮 曾一平 
中国科学院创新工程重要方向性项目;国家自然科学基金重点项目(批准号:60136020);国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683和2002CB311903);国家高技术研究发展规划(批准号:2004AA311040)资助项目~~
采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γAl2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γAl2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γAl2O3...
关键词：GAN MBE Γ-AL2O3 缓冲层 
蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RFMBE生长被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1169-1172,共4页肖红领 王晓亮 张南红 王军喜 刘宏新 韩勤 曾一平 李晋闽 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903;G20000683);国家高技术研究发展规划(批准号:2003AA311060);国家自然科学基金(批准号:60136020;60137020)资助项目~~
采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力...
关键词：RF-MBE 氮化铟 DCXRD AFM 
Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期16-19,共4页肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903和G20000683)、国家高技术研究发展规划(批准号:2003AA311060)和国家自然科学基金(批准号:60136020和60137020)资助项目
由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/...
关键词：INN RF-MBE XRD 
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