云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王国宏

王国宏: 作品数：30被引量：71H指数：4; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：氮化镓发光二极管多量子阱衬底外延片更多>>; 发文领域：电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《中国科技成果》《人与生物圈》《光子学报》《中国激光》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金北京市科委科技计划项目更多>>

具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）被引量：2: 《电工技术学报》2018年第7期1472-1477,共6页赵勇兵程哲张韵伊晓燕王国宏张雅希; This work is supported by the National High Technology Research and Development Program of China(No.2014 AA 032606)and the National Natural Sciences Foundation of China(No.61376090,61306008).; 介绍了一种采用ICP干法刻蚀技术制备的槽栅常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。采用原子层淀积(ALD)实现40 nm的栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.3 V。在栅压时,槽栅常关型AlGaN/...; 关键词：ALGAN/GAN 高阈值电压大栅压摆幅常关型

万物生长靠太阳雨天向科技借光: 《人与生物圈》2018年第1期56-59,共4页王国宏; 一直以来，制茶师傅都是凭借各自的经验“看天做茶”，我们在武夷山调研时了解到，原来“天”是指天气，包含好天气和坏天气，好天气有好天气的做法，坏天气有坏天气的应对。实际上，大家都喜欢好天气，好天气出好茶的概率远远大于坏天...; 关键词：科技雨天天气茶师武夷山茶叶

低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术: 《中国科技成果》2015年第9期51-52,共2页李晋闽王国宏王军喜伊晓燕刘志强戚运东; 基于氮化物LED的半导体照明技术具有高效节能、长寿命、宽光谱、智能化等特点，是继白炽灯、荧光灯之后照明光源的又一次革命，为解决日益严峻的能源和环境问题提供了重要途径，被各国公认为最有发展前景的战略性新兴产业之一。本项目...; 关键词：LED材料蓝宝石衬底芯片技术 GAN 半导体照明技术高光效低热阻新兴产业

第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用被引量：2: 《新材料产业》2014年第3期18-20,共3页王军喜刘喆魏同波王国宏; 一．第3代半导体材料概述第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后，近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）和氮化铝（AlN）等宽禁带化合物半...; 关键词：宽禁带半导体材料第3代光电器件抗辐射能力微电子领域应用化合物半导体大功率器件

GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长被引量：2: 《物理学报》2011年第1期473-478,共6页王兵李志聪姚然梁萌闫发旺王国宏; 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A114)资助的课题~~; 本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%—30%之间能够很好地将...; 关键词：氮化镓基 LED AL组分电子阻挡层

垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析: 《半导体技术》2009年第10期1011-1013,共3页刘志强王良臣伊晓燕郭恩卿王国宏李晋闽; 国家自然科学基金重点项目(60835001); 热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,通过TEM,PL,Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED光电特性的退化机制,探讨应力损...; 关键词：热压键合氮化镓应力损伤反向漏电

垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析被引量：3: 《半导体技术》2009年第9期861-863,871,共4页黄亚军王良臣刘志强伊晓燕王国宏李晋闽; 电流分布是影响大功率LEDs器件性能的重要因素,与传统结构GaN基器件比较,垂直结构器件通过采用上下电极分布,明显改善了LEDs器件内部电流分布均匀性。通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LEDs电流分布模型,研究了垂直结构GaN...; 关键词：氮化镓垂直结构发光二极管电流分布激光剥离

两步合金法制作p-GaN高反电极: 《光电子．激光》2008年第7期902-904,共3页郭德博梁萌范曼宁刘志强王良臣王国宏; 利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地防止Ag的氧化和团聚,短时间的热处理有助...; 关键词：P型GAN 欧姆接触两步合金法高反射电极

LCD用LED背光中的取代滤色膜技术: 《半导体技术》2008年第S1期227-230,共4页范曼宁梁萌王国宏; LED背光模组是LCD显示器件的重要部件之一,相比传统的冷阴极管CCFL背光,LED背光使液晶显示有较好的显示画质。采用一种将红绿色荧光粉按比例混合,在450nm左右蓝光激发下生成RGB三基色,从而获得白光LED。为了获得高质量的背光显示,采用...; 关键词：LED背光结构 RGB三基色荧光粉液晶显示器

InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测被引量：4: 《电子科技大学学报》2008年第3期460-463,共4页肖雪芳杨国华归强王国宏马晓宇陈朝陈良惠; 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性...; 关键词：静态光电特性的自动测试系统雪崩光电二极管大面积APD 倍增因子

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