归强

作品数：8被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：电极绝缘层衬底INGAAS/INP催化更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子科技大学学报》《物理化学学报》《高技术通讯》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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轻掺杂硅基神经电极的光噪声消减被引量：1
《物理化学学报》2020年第12期109-115,共7页魏春蓉 王飞 裴为华 刘智多 毛旭瑞 赵宏泽 王思凯 王毅军 杨晓伟 刘媛媛 赵姗姗 归强 陈弘达 
国家重大研究发展计划项目(2017YFA0205903,2017YFA0701100,2016YFB0402405);国家自然科学基金(61634006,61671424);中国科学院战略性先导科技专项(XDB32030100,XDB32040200);中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDY-SSW-JSC004)资助。
硅基神经电极是记录神经细胞放电活动的一种实用工具。使用标准的集成电路加工技术,在宽度仅为70μm的单个硅基针上能排布上千个电极记录位点。光遗传学的发展使控制神经元活动更加精确,通过在给予光刺激的同时记录神经元的电活动,可以...
关键词：光噪声 光生载流子 光遗传学 轻掺杂 硅基神经微探针 
基于干电极的头带式射频无线脑-机接口系统被引量：4
《高技术通讯》2012年第2期211-216,共6页郭凯 裴为华 王宇 许冰 归强 李晓倩 杨宇 刘剑 陈弘达 
863计划（2007AA032427）,973计划（2011CB933203＆2011CB933102）和国家自然科学基金（60776024,60877035,90820002,61078074）资助项目.
研发了一种采用干电极的脑-机接口系统，此系统克服了现有脑机接口用脑电信号采集及信号处理系统笨重而不便于携带的缺点。此系统采用半导体微加工工艺制作的“干”电极作为采集脑电信号的电极，佩戴方便且能长时间使用。整个便携式脑...
关键词：脑-机接口(BMI) 干电极 脑电(EEG) 便携 
基于聚酰亚胺的神经微电极的制备及特性研究
《高技术通讯》2011年第12期1323-1328,共6页李晓倩 裴为华 归强 郭凯 王宇 王凯 汤戎昱 陈弘达 
863计划（2007AA042329,2007AA032427,2007AA042254）和国家自然科学基金（60776024,60877035,90820002）资助项目.
提出了一种基于非光敏型聚酰亚胺PI-5J的柔性薄膜神经微电极的制作方法，利用常规光刻技术设计和制作出了适合植入的柔性神经刺激微电极阵列，并通过离体实验对其进行了微电极的老化测试和电学特性测试，通过在体实验进行了微电极的生...
关键词：神经刺激电极 非光敏型聚酰亚胺 柔性 生物相容性 老化特性 电学特性 
视网膜假体的研究进展被引量：1
《高技术通讯》2009年第10期1092-1100,共9页王淑静 裴为华 张旭 郭凯 朱琳 归强 王宇 陈弘达 
973计划(2005CB724302);863计划(2007AA04Z329;2007AA03Z427);国家自然科学基金(60776024;60877035)资助项目
根据视觉假体(visual prosthesis)在视觉通路上刺激部位的不同,概括地介绍了以植入微电子芯片为主要手段的视皮层假体、视神经假体和视网膜假体的视觉修复方法,分析比较了这三种视觉假体的利弊和技术难点。重点论述了研究的热点——视...
关键词：视觉假体 视网膜 微电子 植入 电刺激 
InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测被引量：4
《电子科技大学学报》2008年第3期460-463,共4页肖雪芳 杨国华 归强 王国宏 马晓宇 陈朝 陈良惠 
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性...
关键词：静态光电特性的自动测试系统 雪崩光电二极管 大面积APD 倍增因子 
宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器
《半导体技术》2008年第S1期62-64,共3页归强 裴为华 陈弘达 
报道了一种在0.6～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性...
关键词：INGAAS/INP 宽光谱响应 高响应度 光电探测器 探测器阵列 
一种可对大功率激光信号进行直接检测的新型InGaAs光电探测器
《光通信技术》1997年第4期304-306,共3页周洲 曾靖 归强 张玉芳 马骁宇 王树堂 
在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs／InP实用化光电探测器，它可在0．5～1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测，并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。
关键词：光电探测器 光纤通信 CATV 
MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件被引量：1
《红外与毫米波学报》1993年第2期155-158,共4页杨志鸿 王树堂 曾靖 朱龙德 孙捷 夏彩虹 沈戎 归强 
讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
关键词：量子效率 PIN结探测器 稳定性 
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