曾靖

作品数:7被引量:2H指数:1
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供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题:INGAAS/INP长波长INGAASP/INP雪崩光电二极管INGAAS更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《半导体光电》《红外与毫米波学报》《光通信技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
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一种可对大功率激光信号进行直接检测的新型InGaAs光电探测器
《光通信技术》1997年第4期304-306,共3页周洲 曾靖 归强 张玉芳 马骁宇 王树堂 
在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs/InP实用化光电探测器,它可在0.5~1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测,并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。
关键词:光电探测器 光纤通信 CATV 
低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用
《Journal of Semiconductors》1996年第5期396-400,共5页马骁宇 王树堂 熊飞克 郭良 王仲明 曾靖 王丽明 陈良惠 
国家"863"重大项目
本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A...
关键词:MOCVD 外延生长 INGAASP INP 应变量子阱材料 
MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件被引量:1
《红外与毫米波学报》1993年第2期155-158,共4页杨志鸿 王树堂 曾靖 朱龙德 孙捷 夏彩虹 沈戎 归强 
讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到~96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
关键词:量子效率 PIN结探测器 稳定性 
长波长InGaAs/InP APD光接收组件
《红外与毫米波学报》1992年第1期21-26,共6页胡春阳 王树堂 曾靖 夏彩虹 何军 周洲 
在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48...
关键词:光纤通信 光电探测器 APD 铟镓砷 
InGaAs/InP-SAGM-APD结构的液相外延生长研究
《半导体光电》1991年第2期141-145,共5页杨志鸿 王树堂 曾靖 
本文讨论了InP/InGaAsP/InGaAs/InP SAGM-APD结构的抗回熔生长,并解决了InP在InGaAs上液相外延生长时的回熔问题。同时,研究了各外延层参数的控制。结果制得的器件,其最大雪崩倍增20,0.9V_B下暗电流14nA,响应度大于0.6A/W。
关键词:INGAAS/INP 液相外延 外延层生长 
InGaAs/InGaAsP/InP长波长雪崩光电二极管研究被引量:1
《红外与毫米波学报》1991年第1期67-72,共6页李锋 王树堂 曾靖 樊爱香 夏彩虹 孙捷 胡春阳 白金花 陈心敏 
研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0~1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和...
关键词:光电二极管 雪崩倍增管 耗尽层 
低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管
《Journal of Semiconductors》1990年第12期958-961,共4页王树堂 曾靖 李锋 胡春阳 夏彩虹 孙捷 樊爱香 
根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度~(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW)...
关键词:雪崩二极管 INGAAS SAGM 低漏电 
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