外延层生长

作品数：9被引量：10H指数：2
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PVD AlON缓冲层的GaN外延层生长
《半导体技术》2020年第5期379-382,403,共5页寻飞林 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403102)。
采用物理气相沉积(PVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)图形化蓝宝石衬底(PSS)上沉积4种AlN或AlON薄膜样品,使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在样品上外延生长GaN。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)与高分辨率透射电子显微镜(HR-TEM...
关键词：GAN ALON ALN 图形化蓝宝石衬底(PSS) 物理气相沉积(PVD) 
单晶金刚石外延层生长工艺研究被引量：3
《表面技术》2018年第11期195-201,共7页安康 刘金龙 林亮珍 张博弈 赵云 郭彦召 Tomasz Ochalski 陈良贤 魏俊俊 李成明 
国家重点研发计划(No.2018YFB0406501,No.2016YFE0133200)。
目的研究高质量单晶金刚石外延生长工艺。方法使用X射线白光形貌束分析了等离子体表面刻蚀处理前后单晶金刚石位错密度的变化,随后使用等离子体刻蚀预处理工艺,通过改变沉积温度研究了其对金刚石质量的影响。为了表征温度对单晶金刚石...
关键词：单晶金刚石 刻蚀 位错 外延生长 质量 形貌 
重掺磷衬底上外延层生长工艺研究被引量：5
《微纳电子技术》2012年第8期557-561,共5页高淑红 袁肇耿 赵丽霞 
重掺磷衬底上硅外延片是制作集成电路开关电源的肖特基二极管和场控高频电力电子器件的首选产品。重掺磷衬底外延片可以大幅降低压降中半导体部分引起的压降所占的比例。介绍了重掺磷外延片的一种实用生产技术,在高浓度衬底外延后失配...
关键词：正向压降 磷掺杂 失配 杂质扩散 杂质外扩 
Characterization of the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Si during low pressure chemical vapor deposition
《Chinese Science Bulletin》2010年第27期3102-3106,共5页CHEN Da ZHANG YuMing ZHANG YiMen WANG YueHu JIA RenXu 
supported by the National Natural Science Foundation of China(60876061);the Pre-research Project(51308040302)
3C-SiC heteroepitaxial layers were grown on Si substrates using a horizontal,hot-wall low pressure chemical vapor deposition system.The crystal quality,surface morphology and thickness uniformity of the layers were ch...
关键词：低压化学气相沉积 SIC 生长特性 3C 傅里叶变换红外光谱 化学气相沉积系统 外延层生长 原子力显微镜 
新型UHV／CVD系统及器件级薄外延层生长
《今日科技》2004年第8期59-59,共1页
关键词：低温外延技术 硅器件 UHV/CVD系统 设计 薄膜材料 
ECR-PEMOCVD生长GaN RHEED图像研究被引量：1
《应用激光》2004年第1期31-35,共5页郎佳红 顾彪 徐茵 秦福文 曲钢 
国家自然科学基金 (6 9976 0 0 8); 86 3计划 (86 3- 715 - 0 11- 0 0 33)资助项目
通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪 (RHEED) ,对外延GaN生长过程进行原位监测。通过分析研究RHEED图像确定衬底清洗、氮化、缓冲层生长。
关键词：ECR-PEMOCVD 反射高能电子衍射仪 GAN 外延层生长 
LP-MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析被引量：1
《量子电子学报》2001年第2期175-178,共4页文尚胜 范广涵 廖常俊 刘颂豪 
本文分析了低压转盘ＭＯＣＶＤ生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温（７００℃左右）下生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，抑制Ｉｎ组分脱吸附的“动压力模型”．解释了托盘转速和生长压力等生长参数对Ｉｎ组分控制的影响．
关键词：低压有机金属化学气相外延 INGAALP 铟组分 控制 外延层生长 动力学分析 
用于多层器件的硫基三,四元外延层生长
《电子材料快报》1998年第10期13-14,共2页晓晔 
关键词：多层器件 硫基 外延层生长 
InGaAs/InP-SAGM-APD结构的液相外延生长研究
《半导体光电》1991年第2期141-145,共5页杨志鸿 王树堂 曾靖 
本文讨论了InP/InGaAsP/InGaAs/InP SAGM-APD结构的抗回熔生长,并解决了InP在InGaAs上液相外延生长时的回熔问题。同时,研究了各外延层参数的控制。结果制得的器件,其最大雪崩倍增20,0.9V_B下暗电流14nA,响应度大于0.6A/W。
关键词：INGAAS/INP 液相外延 外延层生长 
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