云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INGAALP

INGAALP: 作品数：26被引量：21H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：范广涵文尚胜廖常俊刘颂豪纪刚更多>>; 相关机构：华南师范大学华南理工大学复旦大学天津工业大学更多>>; 相关期刊：《液晶与显示》《电子与仪表技术》《光机电信息》《甘肃科技》更多>>; 相关基金：广东省自然科学基金更多>>

Evaluation of current and temperature effects on optical performance of InGaAlP thin-film SMD LED mounted on different substrate packages: 《Chinese Physics B》2017年第7期454-460,共7页Muna E.Raypah Mutharasu Devarajan Fauziah Sulaiman; The relationship between the photometric, electric, and thermal parameters of light-emitting diodes（LEDs） is important for optimizing the LED illumination design. Indium gallium aluminium phosphide（InGaAlP）-based ...; 关键词：light-emitting diodes（LEDs） surface-mounted device（SMD） INGAALP luminous efficiency

分子计算机——化学家的乐园: 《化学教学》2011年第8期3-5,77,共4页宋心琦; 作者注：计算机的发明和进步，是20世纪的一件大事，也是人类文明进化史上的一件大事。科学技术发展对社会进步的积极作用，由此得到最有力的证明，而且已经成为社会各界的共识。这个技术的发展，除去和物理学、教学以及工程学的贡献有...; 关键词：分子计算机化学家复合半导体材料科学技术发展化合物半导体 INGAAS INGAALP 计算机应用

InGaP/InGaAlP量子阱激光器输出特性的研究: 《甘肃科技》2010年第8期40-41,共2页艾德臻郭有瑞; 半导体红光激光器以其体积小、价格便宜等越来越成为人们关注的焦点。通过测定InGaP/InGaA lP量子阱激光器的I-V关系和不同电压下的发射光谱,对输出光谱的半高宽和发光峰位随外加电压的变化进行了分析。; 关键词：量子阱激光器 I—V特性

高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制被引量：1: 《发光学报》2008年第2期330-336,共7页王小丽牛萍娟李晓云于莉媛杨广华刘宏伟高铁成罗惠英战瑛于欣; 超高亮度发光二极管外延片;功率型芯片产业化及应用示范工程资助项目(06FZZDGX01800); 报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通...; 关键词：LED InGaAIP 湿法腐蚀 P型欧姆接触

激光技术与应用: 《光机电信息》2007年第11期80-81,共2页; 纳米光子集成激光器;光纤激光器用集成Sagnac环形反射镜电路;高功率半导体激光器和半导体光放大器的热学研究;光束组合的高功率片状耦合光波导激光器阵列的封装;基于InGaP／InGaAlP材料的可见微盘形激光器和光子晶体激光器;2．3μm高亮...; 关键词：激光技术高功率半导体激光器半导体光放大器光子晶体激光器 INGAALP 光纤激光器盘形激光器应用

再谈发展我国InGaAlP红光LED的问题被引量：1: 《中国照明》2006年第1期25-27,共3页张万生; 本文从缩小国际水平差距和节省电能两方面．谈论在我国发展InGaAIP红光LED的必要性和紧迫性．希望得到政府有关部门的大力支持。; 关键词：InGaAIP红光LED 节省电能

InGaAlP外延片的微分析: 《半导体技术》2005年第12期32-34,共3页樊华曹永明曾伟李越生; 介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用领域,指出两者有机的结合可以得到比较全面的分析结果,为工艺监控和工艺改进提供了参考。; 关键词：电子显微镜二次离子质谱发光二极管外延片

InGaAlP/InGaP多量子阱中的红外向可见光的上转换: 《人工晶体学报》2005年第4期585-588,共4页尉吉勇黄柏标于永芹张琦姚书山张晓阳秦晓燕; 利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间分辨表征了此材料的上转换激发态的寿命。波长1064nm向625nm...; 关键词：INGAALP 量子阱光学上转换双光子吸收

InGaAlP LED发光特性分析被引量：5: 《液晶与显示》2003年第6期450-453,共4页郑智斌; InGaAlPLED发光效率高,性能稳定,应用相当广泛。在InGaAlPLED的应用中,发光特性是相当重要的参数,而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数。介绍了不同的InGaAlPLED芯片结构,分析了其发光特点及封装后的发光特性,讨论了不同...; 关键词：发光二极管发光效率发光强度铟镓铝磷发光二极管芯片结构

In_(0.5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0.5)P合金的掺杂生长特性: 《发光学报》2002年第5期469-472,共4页李忠辉丁晓民于彤军杨志坚胡晓东张国义; 利用LP MOCVD分别生长Zn和Si掺杂的In0 5(Ga1-xAlx) 0 5P外延层 ,研究生长温度、掺杂源流量、Ⅴ/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响。实验结果表明 :降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由 (10 0 )...; 关键词：生长特性 INGAALP LP-MOCVD 掺杂剂掺杂特性铟镓铝磷四元系合金半导体材料外延生长

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