王小丽

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：天津工业大学信息与通信工程学院更多>>
发文主题：LEDINGAALP湿法腐蚀ALGAINP发光二极管更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《发光学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金天津市科技创新专项资金天津市应用基础与前沿技术研究计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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GaAs基AlGaInP LED的研究和进展被引量：3
《半导体技术》2008年第8期654-657,669,共5页战瑛 牛萍娟 李晓云 王小丽 彭晓磊 
天津市科技创新专项资金项目(06FZZDGX01800)
探讨了GaAs基AlGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题,探讨了几种高效率的LED器件结构设计。着重介绍了目前一些外量子效率比较高的LED器件的制作方法以及一...
关键词：ALGAINP 发光二极管 外量子效率 
双沟道实空间转移晶体管(RSTT)的研制
《固体电子学研究与进展》2008年第3期346-350,共5页于欣 牛萍娟 郭维廉 杨广华 高铁成 刘宏伟 王小丽 张世林 梁惠来 齐海涛 毛陆虹 
国家重点基础研究计划项目(973)(批准号2002CB311905)资助;国家自然科学基金资助项目(批准号60536030)
报道了在GaAs衬底上,采用δ掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构,成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的"Λ"型负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区。具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面,磁控溅射制作电极,快速热退火制作源漏低阻...
关键词：实空间转移晶体管 湿法腐蚀 磁控溅射 欧姆接触 合金 负阻 电子转移 
高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制被引量：1
《发光学报》2008年第2期330-336,共7页王小丽 牛萍娟 李晓云 于莉媛 杨广华 刘宏伟 高铁成 罗惠英 战瑛 于欣 
超高亮度发光二极管外延片;功率型芯片产业化及应用示范工程资助项目(06FZZDGX01800)
报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通...
关键词：LED InGaAIP 湿法腐蚀 P型欧姆接触 
RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析
《半导体技术》2007年第5期422-425,450,共5页王小丽 牛萍娟 刘宏伟 郭维廉 毛陆虹 杨广华 
国家自然科学基金(NSFC405340300);天津市应用基础研究重点项目(043800811)
RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景。详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟...
关键词：共振隧穿二极管-异质结晶体管 反相器 环形振荡器 PSPICE软件 
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