战瑛

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：天津工业大学信息与通信工程学院更多>>
发文主题：ALGAINP发光二极管高亮度LED外量子效率更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《发光学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：天津市科技创新专项资金更多>>
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GaN基侧向外延生长技术与特性研究
《半导体技术》2008年第11期1011-1015,共5页彭晓雷 牛萍娟 田海涛 李晓云 战瑛 刘伟 
为解决目前外延生长技术存在的弊端,总结了新的侧向外延方法以减少GaN中的位错密度,提高晶体质量。主要研究了在蓝宝石图形衬底上侧向外延生长GaN的技术。用MOCVD侧向外延技术的方法获得了很少位错的生长在掩膜层上的GaN薄膜,晶体的质...
关键词：侧向外延 金属有机化学气相沉积 X射线 透射电子显微镜 
GaAs基AlGaInP LED的研究和进展被引量：3
《半导体技术》2008年第8期654-657,669,共5页战瑛 牛萍娟 李晓云 王小丽 彭晓磊 
天津市科技创新专项资金项目(06FZZDGX01800)
探讨了GaAs基AlGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题,探讨了几种高效率的LED器件结构设计。着重介绍了目前一些外量子效率比较高的LED器件的制作方法以及一...
关键词：ALGAINP 发光二极管 外量子效率 
高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制被引量：1
《发光学报》2008年第2期330-336,共7页王小丽 牛萍娟 李晓云 于莉媛 杨广华 刘宏伟 高铁成 罗惠英 战瑛 于欣 
超高亮度发光二极管外延片;功率型芯片产业化及应用示范工程资助项目(06FZZDGX01800)
报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通...
关键词：LED InGaAIP 湿法腐蚀 P型欧姆接触 
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