云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ALGAINP

ALGAINP: 作品数：115被引量：162H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：沈光地陈良惠马骁宇范广涵梁静秋更多>>; 相关机构：山东浪潮华光光电子股份有限公司北京工业大学山东华光光电子股份有限公司中国科学院更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>

CMP工艺参数对AlGaInP基LED衬底转移的影响: 《激光杂志》2024年第3期224-229,共6页王嘉伟许英朝杨凯鹿晨东范浩爽陆逸; 福建省自然科学基金面上项目(No.2019J01876);厦门市科技计划重大项目(No.3502ZCQ20191002)。; 以GaP/Al2O3/SiO2引导式出光结构作为芯片键合层,通过化学机械抛光工艺减少AlGaInP基Mini-LED衬底转移过程中出现的外延层空洞,提高芯片制备工艺良率。以材料去除速率和表面粗糙度作为技术评价指标,基于单因素实验结果对抛光压力、抛光...; 关键词：化学机械抛光工艺 ALGAINP 正交试验表面粗糙度良率

Monolithic full-color active-matrix micro-LED microdisplay using InGaN/AlGaInP heterogeneous integration被引量：5: 《Light(Science & Applications)》2023年第11期2459-2467,共9页Longheng Qi Peian Li Xu Zhang Ka Ming Wong Kei May Lau; Innovation and Technology Fund(ITS/120/20).The authors would like to thank the NFF and Epack of HKUST for technical support.The authors would also like to thank the LED buffers provided by Enkris Inc.; A prototype of full-color active-matrix micro-light-emitting diode(micro-LED)micro-display with a pixel density of 391 pixel per inch(ppi)using InGaN/AlGaInP heterogeneous integration is demonstrated.InGaN blue/green ...; 关键词：ALGAINP integration MATRIX

巨量转移-激光转移及激光对AlGaInP芯片影响的研究: 《微纳电子与智能制造》2021年第4期15-23,共9页詹蕊绮李宏韬张玮萧俊龙; 李宏韬劳模创新工作室项目资助; Micro-LED因其具有高功效、高亮度、低能耗、高分辨率以及高对比度等优点,被认为是下一代的显示技术。Micro-LED显示器的制作也面临着巨量转移的挑战。本文介绍了巨量转移中的激光转移技术、激光转移技术的具体路线、激光转移工艺参数...; 关键词：Micro-LED 激光转移紫外激光失效分析漏电

Fabrication of flexible AlGaInP LED被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2020年第3期36-38,共3页Qiaoli Liu Yajie Feng Huijun Tian Xiaoying He Anqi Hu Xia Guo; supported by the National Key R&D Program of China (2016YFB0400603); Flexible light-emitting diodes(LEDs)are highly desired for wearable devices,flexible displays,robotics,biomedicine,etc.Traditionally,the transfer process of an ultrathin wafer of about 10–30μm to a flexible substrat...; 关键词：light-emitting diodes(LEDs) FLEXIBLE TRANSFER performance

热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响被引量：2: 《物理学报》2020年第4期269-276,共8页王苏杰李树强吴小明陈芳江风益; 国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400600,2016YFB0400601,2016YFB0400603)资助的课题; 本文在n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P表面通过电子束蒸发Ni/Au/Ge/Ni/Au叠层金属并优化退火工艺成功制备了具有较低接触电阻的欧姆接触,其比接触电阻率在445℃退火600 s时达到1.4×10–4 W·cm2.二次离子质谱仪测试表明,叠层金属Ni/Au/Ge/N...; 关键词：ALGAINP 欧姆接触退火工艺发光二极管

ITO厚度对AlGaInP发光二极管特性的研究被引量：1: 《真空科学与技术学报》2020年第1期7-11,共5页肖和平王晓彬; 采用金属有机物化学气相沉积技术在GaAs衬底上生长AlGaInP红光发光二极管器件,在表层GaP上沉积氧化铟锡透明导电层,使用扫描电镜分析器件外观、透射电镜观察器件各层结构、半导体测试机测试其光电参数、回流焊验证器件的热稳定性、X射...; 关键词：氧化铟锡 AlGaInP二极管热稳定性发光角度

《固体电子学研究与进展》2019年(第39卷)第1～6期总目次: 《固体电子学研究与进展》2019年第6期I0001-I0008,共8页; 关键词：ALGAINP 电流崩塌《固体电子学研究与进展》

具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AlGaInP LED: 《固体电子学研究与进展》2019年第3期199-202,共4页孙学智白继锋; 吉林省教育科学“十三五”规划2018年度课题(GH180885); 采用ITO/Ti3O5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ITO/Ti3O5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ITO/Ti3O5薄...; 关键词：ALGAINP ITO 电流扩展肖特基结

黄绿光发光二极管光衰性能研究: 《固体电子学研究与进展》2019年第3期203-206,共4页高鹏冯彦斌李维环吴超瑜高文浩付贤松宁振动; 天津市科技支撑、新材料重大专项项目(17YFZCGX00330,18ZXCLGX00080); AlGaInP是GaAs基LED有源区主要材料,广泛应用于黄绿光至红光波段的LED。但在短波段尤其是黄绿光波段(565~575nm),因其材料组成较接近间接带隙,其发光效率和稳定性存在问题。目前黄绿光功率衰减以俄歇复合损耗、非复合辐射中心损耗、载...; 关键词：AlGaInP发光二级管黄绿光光衰多量子阱

12 W high power InGaAsP/AlGaInP 755 nm quantum well laser被引量：1: 《Chinese Optics Letters》2019年第6期49-53,共5页H. Martin Hu Jianyang Zhao Weimin Wang James Ho Langxing Kuang Wenbin Liu; supported by the National Key R&D Program of China(No.2016YFB0401802);the Project of Committee for Science and Technology Innovation of Shenzhen(No.JSGG20160301095954267); High power laser diodes(LDs)with a lasing wavelength between 700 and 780 nm have great potential in various medical uses.Here,we report our recent efforts in developing an InGaAsP/AlGaInP-based commercial high power e...; 关键词：High power LASER WAVELENGTH between

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