电流扩展

作品数：31被引量：81H指数：6
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专利信息
《有色金属材料与工程》2020年第6期55-55,共1页
专利名称:一种LED芯片制备方法专利申请号:2020106087396公布号:CN111710761A申请日:2020.06.29公开日:2020.09.25申请人:湘能华磊光电股份有限公司本发明提供了一种LED芯片制备方法。包括:在衬底上生长完整LED结构外延片;在第二半导体...
关键词：光刻工艺 LED芯片 电流扩展 多量子阱 半导体层 外延片 专利信息 腐蚀工艺 
具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AlGaInP LED
《固体电子学研究与进展》2019年第3期199-202,共4页孙学智 白继锋 
吉林省教育科学“十三五”规划2018年度课题(GH180885)
采用ITO/Ti3O5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ITO/Ti3O5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ITO/Ti3O5薄...
关键词：ALGAINP ITO 电流扩展 肖特基结 
940nm大功率半导体激光器后工艺优化被引量：1
《半导体光电》2018年第5期612-615,622,共5页王海阔 李建军 王元诚 王梦欢 袁泽旭 
光电子技术教育部重点实验室发展基金项目(PXM2017_014204_500034);北京市教委能力提升项目(PXM2016_014204_500026);教师队伍建设-15青年拔尖项目(3011000543115002);国家科技重大专项项目(2017YFB0402800;2017YFB0402803)
波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展...
关键词：半导体激光器 大功率 侧向电流扩展 隔离沟道 
采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管
《半导体光电》2018年第1期6-9,共4页陈凯轩 
对采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管进行了研究。研究发现,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层有助于改善外延层表面形貌和后续外延层的晶体质量,从而减小850nm红外发光二极管的漏电流及串联电阻...
关键词：多级变速法 电流扩展层 发光二极管 金属有机化学气相外延 
快速热退火对ITO薄膜及LED芯片性能的影响被引量：1
《半导体技术》2017年第10期765-768,共4页闫晓密 黄慧诗 华斌 张秀敏 莫晓帆 周东 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400900)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触。研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能...
关键词：快速热退火(RTA) ITO薄膜 电流扩展 LED芯片 磁控溅射 
LED电极结构优化设计与仿真计算被引量：5
《半导体光电》2017年第4期483-487,共5页吕家将 郑晨居 周圣军 刘胜 
国家自然科学基金项目(重大项目U1501241);国家"863"计划项目(2015AA03A101)
LED电极结构极大地影响着LED芯片的电流扩展能力,优化电极结构,能够缓解电流拥挤现象。讨论了正装LED结构和倒装LED结构的电流分布模型,并通过SimuLED软件研究了电极结构对LED电流扩展能力的影响。仿真结果表明:采用插指型电极结构极大...
关键词：发光二极管 电极结构 电流扩展 通孔式电极 电流分布模型 
GaN基LED电流分布的芯片结构优化设计被引量：1
《半导体技术》2016年第11期822-826,880,共6页罗剑生 柴广跃 刘文 刘志慧 
广东省产学研资助项目(2011B090400400);广东省前沿与关键技术创新专项资金资助项目(2014B010120004);深圳市重大产业攻关资助项目(JSGG20140519105124218)
GaN基LED的电流横向扩展导致电流分布不均匀的现象仍是目前亟待解决的难题,对于高压倒装LED更是如此。传统的LED工艺把负电极直接制作在n-GaN材料表面,而提出的优化结构是负电极内嵌于n-GaN材料。首先通过LED电流扩展的简单建模来探讨...
关键词：GAN基LED 电流扩展 结构优化 电流分布仿真 热阻测试 
基于外延剥离技术的薄膜LEDs的电流扩展和热效应研究
《中国科学：物理学、力学、天文学》2016年第4期124-129,共6页李晓敏 宗约瀚 江宇 白霖 宋国峰 徐云 
国家重点基础研究发展计划(编号:2015CB351902)资助项目
随着外延剥离技术和转印技术的发展,柔性无机半导体集成器件引起人们的广泛关注.柔性无机发光二级管(LED)的研制是高精度转印技术和应用于生物传感的柔性混合集成技术的迫切需求.薄膜发光二级管(TF-LEDs)的电流扩展和热管理是研制TF-LED...
关键词：薄膜LEDs 电流扩展 热效应 柔性 
GaN基发光二极管透明导电层与n-GaN方阻的匹配研究被引量：1
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2015年第1期229-232,共4页汪延明 付宏威 徐林炜 苗振林 梁智勇 许亚兵 戚运东 
研究了ITO与n-GaN方阻的大小关系对电流扩展的影响,结果表明,在一定电极图形设计下,当ITO方阻大于n-GaN层方阻时,电流朝P电极附近集中,当ITO方阻小于n-GaN层方阻时,电流朝N电极附近集中,只有在ITO与n-GaN方阻接近时,芯片电流扩展才最佳。
关键词：发光二极管 方阻 电流扩展 匹配 
P沟道恒流二极管的电流扩展方法
《贵州大学学报（自然科学版）》2015年第2期47-49,共3页鲁冬梅 刘桥 杨发顺 陈睿 
贵州省科学技术基金(黔科合GY[2012]3030号)
介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂...
关键词：P沟道恒流二极管 电流扩展 沟道长度 沟道厚度 沟道杂质浓度 基区宽度 
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