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出　　处：《有色金属材料与工程》2020年第6期55-55,共1页Nonferrous Metal Materials and Engineering

摘　　要：专利名称:一种LED芯片制备方法专利申请号:2020106087396公布号:CN111710761A申请日:2020.06.29公开日:2020.09.25申请人:湘能华磊光电股份有限公司本发明提供了一种LED芯片制备方法。包括:在衬底上生长完整LED结构外延片;在第二半导体层上制备电流扩展层,通过光刻工艺和腐蚀工艺制备电流扩展层图形;依次刻蚀电流扩展层、第二半导体层、多量子阱层和第一半导体层;采用腐蚀工艺对电流扩展层边缘进行腐蚀,使第二半导体层边缘超出电流扩展层边缘;沉积绝缘层;通过光刻工艺制备电极图形,并通过腐蚀工艺制备电极孔;制备P电极和N电极,制备出完整LED芯片。

关 键 词：光刻工艺 LED芯片 电流扩展 多量子阱 半导体层 外延片 专利信息 腐蚀工艺 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]