GAN基LED

作品数：126被引量：264H指数：8
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蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED超快激光剥离
《发光学报》2024年第4期681-687,共7页项文辞 孙浩 王思博 周慧莲 帅凌霄 叶云霞 张韵 
国家自然科学基金(61904068);中国博士后科学基金(2021T140304);江苏大学科研基金(19JDG020)。
衬底导电性和导热性差一直是困扰生长于蓝宝石衬底上的GaN基LED的难题,利用激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN基LED转移至其他衬底是解决该问题的有效方法之一。本文使用超快皮秒激光将生长于图案化蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED进行...
关键词：LED 超快激光 图案化蓝宝石 半极性面 氮化镓 
湿化学清洗设备在GaN基LED正装芯片制作流程中的应用研究
《光源与照明》2024年第3期34-36,共3页刘莹 
现阶段,湿化学清洗设备在化工研究和生产领域应用不断增多,这类设备可以结合具体的生产需要,针对生产进行技术处理。湿化学清洗设备在LED芯片中有一定的应用,对于提升LED正装芯片质量和效率有积极作用。文章基于半导体清洗设备发展情况...
关键词：湿化学清洗设备 GaN基 LED正装芯片 
GaN基LED表面三维凹球结构的制备及其发光增强被引量：1
《微纳电子技术》2023年第9期1495-1502,共8页尹红星 毛鹏程 许冰 
北京理工大学研究生教研教改重点项目(1770012052101)。
以紫外曝光技术为基础,得到了欠曝光条件下的三维凹球结构,结合菲涅尔衍射效应和邻近效应开发了一种制备密排三维周期性凹球结构的方法,并重点研究了掩膜版类型和光刻胶厚度对曝光图形的影响。实验结果表明,采用六方密排结构的明场掩膜...
关键词：GAN LED发光增强 三维凹球结构 紫外(UV)曝光 欠曝光 菲涅尔衍射 邻近效应 
量子阱渐变层材料及结构对GaN基LED性能的影响被引量：2
《光学学报》2023年第4期157-165,共9页王进军 杨艳莹 白斌辉 徐晨昱 
2018年陕西省教育厅科研计划专项项目(18JK0103)。
In组分渐变InGaN/GaN量子阱结构可以有效解决晶格失配所带来的LED发光效率降低的问题。采用Silvaco软件建立了In组分渐变量子阱结构数值计算模型,研究了量子阱中渐变层In组分及渐变层厚度对极化电荷密度、载流子浓度及LED功率谱密度的...
关键词：材料 GAN基LED 量子阱 渐变层 功率谱密度 
大面积高压GaN基LED设计与加工
《电子制作》2022年第20期97-99,共3页赵媛媛 武传龙 朱青 
高压LED芯片是一种将一块大面积LED芯片分裂成多个互联的发光单元的新型芯片,与同样的传统大功率LED相比,高压LED芯片可由小电流、大电压驱动,其电流扩展性能和发光效率得到了提高。目前主流的LED芯片制备工艺和制备技术中存在制程工艺...
关键词：LED 高压 隔离槽 
载流子复合机制对不同发光波长InGaN基LED调制带宽的影响被引量：1
《激光与光电子学进展》2021年第21期273-277,共5页赵勇兵 钱晨辰 
国家自然科学基金(61904158)。
传统的ABC模型主要用于研究InGaN量子阱中载流子的复合动态过程。使用传统的ABC模型计算载流子的复合速率和复合寿命,研究不同发光波长InGaN基LED的3 dB调制带宽与载流子复合机制的关系。计算分析结果表明,在相同的注入电流下,随着有效...
关键词：光学器件 铟镓氮 发光二极管 载流子复合机制 调制带宽 
具有卓越光输出效率的GaN基LED模拟研究被引量：2
《灯与照明》2021年第3期44-46,共3页黄晶 陈鹏 
通过对GaN基发光二极管(LED)的阻挡层和量子势垒结构的设计研究,发现具有锯齿形的电子阻挡层(EBL)和齿形InGaN/GaN势垒的GaN基发光二极管(LED)的光学性能显著提升。与传统的LED设计相比,由于锯齿形EBL和齿形InGaN/GaN势垒的GaN基LED具...
关键词：发光二极管 辐射复合率 光输出功率 量子阱 
GaN基LED在室内环境设计中的应用
《广西城镇建设》2021年第7期55-58,共4页田媛 蓝方敏 潘骁 葛鹏 
2021年度广西高校中青年教师科研基础能力提升项目(编号:2021KY1210)研究成果。
随着Ⅲ族化合物半导体技术的发展,以氮化镓(Gallium Nitride,GaN)为代表的氮化镓及其多元化合物作为发光材料受到人们极大的关注。通过调节Ⅲ族化合物的组分比例,其发光波长可覆盖整个可见光区域与部分红外及紫外区域,因此,Ga N基发光...
关键词：GAN基LED 蓝光LED UVLED 室内环境设计 
ZnO微纳结构对GaN基LED光提取效率的影响研究
《半导体光电》2021年第3期315-320,326,共7页雒倩男 胡芳仁 贾博仑 
国家自然科学基金项目(61574080)。
基于时域有限差分法(FDTD)在GaN基LED表面分别生长了ZnO柱状与锥状微纳结构,并利用Rsoft模拟仿真软件分析了两种结构的几何参量(排列周期p、高度H、底面直径D等)对GaN基LED光提取效率的影响。结果表明两种结构均可提高器件的光提取效率...
关键词：ZnO微纳结构 光提取效率 GAN基LED 时域有限差分 
GaN基LED中V形坑缺陷的研究进展
《中国材料进展》2020年第12期968-973,共6页刘青明 尚林 邢茹萍 侯艳艳 张帅 黄佳瑶 马淑芳 许并社 
国家重点研发计划项目(2016YFB0401803);山西省重点研发计划项目(201703D111026)。
自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN基光电器件依然存在诸多基础性问题,特别是基于异质衬底外延的GaN基LED外延层中的位错密度高达10^(8) cm^(...
关键词：氮化镓 V形坑缺陷 非辐射复合 光电性能 
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