铟镓氮

作品数：21被引量：18H指数：1
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相关机构：中国科学院华灿光电(浙江)有限公司南京大学电子科技大学更多>>
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高稳定性ZnO∶Ga/InGaN异质结微型绿光发光二极管被引量：1
《发光学报》2022年第12期1965-1973,共9页林毅 周雷 范宝路 于彦龙 徐春祥 
国家自然科学基金(11604114)资助项目。
绿光光源可广泛应用于固态照明、可见光通信、电子显示、光遗传学等领域。相比于蓝光LED,高性能低维绿色发光器件的设计与制备受限于绿光效率低(Green gap)和高注入电流下效率下降(Efficiency droop)两个主要问题的困扰。本文采用化学...
关键词：绿光发光二极管 金纳米薄膜 镓掺杂氧化锌微米线 铟镓氮 相对外量子效率 
单根镓掺杂氧化锌微米线异质结基高亮黄光发光二极管被引量：1
《发光学报》2022年第8期1165-1174,共10页徐海英 刘茂生 姜明明 缪长宗 王长顺 阚彩侠 施大宁 
国家自然科学基金(11974182,11874220);中央高校基本科研业务费专项资金(NC2022008);南京工程学院校级科研基金(CKJB201708,CKJA201807)资助项目。
基于半导体低维微纳结构构筑的可见光发光器件,特别是位于500~600 nm波段的黄绿光光源,因具有较高的发光效率、长寿命和低功耗等特点,在超高分辨率显示与照明、单分子传感和成像等领域有着广泛的应用价值。由于高性能低维黄绿色发光器...
关键词：黄光发光二极管 镓掺杂氧化锌微米线 铟镓氮 外量子效率 Droop效应 
In_(0.4)Ga_(0.6)N/GaN异质结IMPATT二极管性能仿真研究
《微电子学》2021年第6期923-928,共6页戴扬 卢昭阳 叶青松 党江涛 雷晓艺 张云尧 廖晨光 赵胜雷 赵武 
国家自然科学基金资助项目(61804125,61701402,62004163)。
提出了一种In_(0.4)Ga_(0.6)N/GaN同型异质结构IMPATT二极管。传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案。详细研究了In_(0.4)Ga_(0.6)N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPAT...
关键词：效率 同型异质结 铟镓氮 IMPATT二极管 
载流子复合机制对不同发光波长InGaN基LED调制带宽的影响被引量：1
《激光与光电子学进展》2021年第21期273-277,共5页赵勇兵 钱晨辰 
国家自然科学基金(61904158)。
传统的ABC模型主要用于研究InGaN量子阱中载流子的复合动态过程。使用传统的ABC模型计算载流子的复合速率和复合寿命,研究不同发光波长InGaN基LED的3 dB调制带宽与载流子复合机制的关系。计算分析结果表明,在相同的注入电流下,随着有效...
关键词：光学器件 铟镓氮 发光二极管 载流子复合机制 调制带宽 
InGaN量子点红光Micro-LED研究
《微纳电子与智能制造》2021年第3期106-110,共5页余鹿鸣 汪莱 王磊 杨沛珑 郝智彪 余佳东 罗毅 孙长征 熊兵 韩彦军 王健 李洪涛 
国家重点研发计划(2021YFA0716400);国家自然科学基金(62150027,61974080,61822404,61904093,61975093,61991443,61927811,61875104);中国博士后科学基金(2018M640129,2019T120090)项目资助;固态照明与节能电子学协同创新中心支持
微型发光二极管被认为是下一代显示技术,但到目前为止,主流AlGaInP红光器件的微型化仍然存在瓶颈。InGaN量子点技术由于其独特的自组装生长机制,拥有较好的晶体质量、较高的In组分并入效率,对刻蚀损伤的耐受能力也更强,是提升红光微型...
关键词：量子点 预应变层 量子阱 超晶格 氮化镓 铟镓氮 MOCVD 
锌锡氮化物可提高长波铟镓氮发光二极管发光效率
《新材料产业》2018年第9期82-82,共1页工业和信息化部电子第一研究所 
美国俄亥俄州立大学提出使用锌锡氮化物提高长波铟镓氮发光二极管效率（辐射波长为600nm）。虽然该工作是理论上的,俄亥俄州立大学赵教授统筹金属有机化学气相沉积、低压化学气相沉积和化学气相沉积设备。
关键词：发光二极管 铟镓氮 氮化物 金属有机化学气相沉积 发光效率 美国俄亥俄州立大学 长波 低压化学气相沉积 
Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的电流输运机理被引量：1
《物理学报》2018年第21期344-349,共6页徐峰 于国浩 邓旭光 李军帅 张丽 宋亮 范亚明 张宝顺 
江苏省自然科学基金(批准号:BK20161324);江苏省博士后科研资助计划项目(批准号:2018K008C);国家自然科学基金(批准号:61704185);江苏省重点研发计划(批准号:BE2015111;BE2016084)资助的课题~~
基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下, Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施...
关键词：铟镓氮 X射线衍射 肖特基势垒 热电子发射 
大功率InGaN蓝光LED的电子束辐照效应被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第3期256-261,共6页张瑞宾 李天明 黄以平 宁忠萍 刘海浪 
广西自然科学基金资助项目(2013GXNSFAA019322);广西制造系统与先进制造技术重点实验室主任基金资助项目(12-071-11-61_004)
采用Monte-Carlo模拟与实验研究相结合的方法,针对大功率InGaN蓝光LED进行了电子束辐照效应研究。根据InGaN蓝光LED芯片材料的特点,在CASINO软件中建立了结构模型。运用Monte-Carlo模拟分析了以不同能量的电子束射入芯片材料时,电子的...
关键词：电子束辐照 大功率发光二极管 蒙特卡洛 铟镓氮 辐照损伤 
分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性被引量：1
《稀有金属材料与工程》2011年第11期2030-2032,共3页王保柱 颜翠英 王晓亮 
国家自然科学基金(20973052;61076052);中国科学院半导体材料科学重点实验室开放基金(KLSMS-0902);河北科技大学基金(QD200974)
采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上,外延生长了发光波长位于407nm的InGaN量子点结构,研究了InN成核层技术对其结构和光学特性的影响。材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测,通过原子力...
关键词：铟镓氮 量子点 分子束外延 
InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第1期24-28,共5页曹瑞华 殷垚 陈鹏 万青 濮林 施毅 郑有炓 
国家"973"计划项目(2007CB936300);国家自然科学基金项目(60990314);江苏省自然科学基金项目(BK2008025)
用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED)。场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖...
关键词：铟镓氮/氮化镓多量子阱纳米线 阴极射线荧光谱 发光二极管 
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