宋亮

作品数：4被引量：4H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：二维电子气HEMT器件氮化物增强型半导体更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金江苏省博士后科研资助计划项目江苏省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
具有阻挡层的H等离子体处理增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT研究
《物理学报》2022年第10期402-408,共7页黄兴杰 邢艳辉 于国浩 宋亮 黄荣 黄增立 韩军 张宝顺 范亚明 
中国科学院青年创新促进会(批准号:2020321);国家自然科学基金(批准号:61904192,61731019,61575008,61775007);北京市自然科学基金(批准号:4202010,4172011)资助的课题。
采用H等离子体处理p-GaN盖帽层来制备p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在p-GaN层表面上先沉积2 nm的Al_(2)O_(3)薄膜,以减少H等离子体注入p-GaN时对表面造成的损伤.经研究表明沉积Al_(2)O_(3)阻挡层的器件栅极反向泄漏电流降...
关键词：p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT H等离子体处理 Al_(2)O_(3)薄膜 栅极反向泄漏电流 
界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响被引量：1
《发光学报》2019年第7期915-921,共7页韩军 赵佳豪 赵杰 邢艳辉 曹旭 付凯 宋亮 邓旭光 张宝顺 
国家自然科学基金(61204011,11204009,61574011);北京市自然科学基金(4142005,4182014);北京市教委科学研究基金(PXM 2018_014204_500020)资助项目~~
研究不同界面处理对AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理,实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌,通过对N2等离子体预处理的时间优化...
关键词：电流崩塌 AlN栅介质插入层 界面处理 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 
复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响被引量：2
《半导体技术》2018年第11期815-822,共8页张佩佩 张辉 张晓东 于国浩 徐宁 宋亮 董志华 张宝顺 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61306100);江苏省重点研发计划资助项目(BE2016084);中国科学院纳米器件与应用重点实验室青年支持项目(2017QZ01)
由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量...
关键词：ALGAN/GAN 复合栅介质 金属-绝缘层-半导体-高电子迁移率晶体管(MI-SHEMT) 阈值电压 界面态 
Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的电流输运机理被引量：1
《物理学报》2018年第21期344-349,共6页徐峰 于国浩 邓旭光 李军帅 张丽 宋亮 范亚明 张宝顺 
江苏省自然科学基金(批准号:BK20161324);江苏省博士后科研资助计划项目(批准号:2018K008C);国家自然科学基金(批准号:61704185);江苏省重点研发计划(批准号:BE2015111;BE2016084)资助的课题~~
基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下, Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施...
关键词：铟镓氮 X射线衍射 肖特基势垒 热电子发射 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部