张晓东

作品数：9被引量：32H指数：4
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：氧化镓电极二维电子气势垒层氮化物更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《红外技术》《半导体技术》《中国激光》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金北京市自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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Micro-LED全彩显示中量子点膜层制备及光转换效率优化被引量：7
《发光学报》2022年第3期421-429,共9页卢子元 庄永漳 仉旭 王涛 谭毅 王倩静 张晓东 蔡勇 张宝顺 张晶 
国家自然科学基金(U1830112);江苏省自然科学基金(BK20191195)资助项目。
将表面配体改性的CdSe/ZnS量子点(Quantum dots)和光刻胶混合,进而采用光刻工艺在InGaN/GaN蓝光Micro-LED上实现了最小尺寸为3μm的高分辨率、高光效的量子点颜色转换膜层。同时系统研究了不同厚度和混合比例的量子点膜层的吸收/发射光...
关键词：Micro-LED 量子点 分布式布拉格反射镜(DBR) 颜色转换 散射粒子 
用于3D集成的精细节距Cu/Sn微凸点倒装芯片互连工艺研究被引量：4
《固体电子学研究与进展》2021年第2期81-86,共6页黄宏娟 赵德胜 龚亚飞 张晓东 时文华 张宝顺 
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金资助项目(614280303040718)。
芯片异构集成的节距不断缩小至10μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题。通过对微凸点节距为8μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊料微凸点互连工艺存在的问题,分析Cu/Sn微凸点键合界面金属间的...
关键词：精细节距 倒装芯片 Cu/Sn互连 
基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列被引量：1
《发光学报》2021年第2期215-222,共8页谭毅 庄永漳 卢子元 张晓东 赵德胜 蔡勇 曾中明 张宝顺 
国家自然科学基金(U1830112);江苏省自然科学基金(BK20191195);微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室开放项目(6142803180407)资助。
采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能。实验结果表明,在采用的...
关键词：蓝光Micro-LED 离子注入隔离 氮化镓 横向结构 高光功率密度 
ZnO/ZnS核壳纳米线界面缺陷的形成及发光特性研究被引量：5
《中国光学》2019年第4期872-879,共8页赵海霞 方铉 王颜彬 房丹 李永峰 王登魁 王晓华 楚学影 张晓东 魏志鹏 
国家自然科学基金资助项目(No.11674038);吉林省科技发展计划项目(No.20160520117JH,No.20170520118JH,No.20160204074GX,No.20160203015GX);长春理工大学科技创新基金(No.XJJLG-2016-11,No.XJJLG-2016-14);中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放基金(No.18JG01)~~
ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性,在光电子领域极具应用前景,其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS核壳结构界面状态及其相应的光学特性,生长了不同程度硫粉硫化...
关键词：核壳纳米结构 束缚态能级 界面缺陷 光致发光 
复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响被引量：2
《半导体技术》2018年第11期815-822,共8页张佩佩 张辉 张晓东 于国浩 徐宁 宋亮 董志华 张宝顺 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61306100);江苏省重点研发计划资助项目(BE2016084);中国科学院纳米器件与应用重点实验室青年支持项目(2017QZ01)
由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量...
关键词：ALGAN/GAN 复合栅介质 金属-绝缘层-半导体-高电子迁移率晶体管(MI-SHEMT) 阈值电压 界面态 
紫外-红外双色集成探测器的发展与现状被引量：3
《红外技术》2018年第11期1033-1041,共9页李淑萍 何涛 付凯 于国浩 张晓东 熊敏 张宝顺 
国家自然科学基金青年科学基金(11404372);2017年江苏省高职院校教师专业带头人高端研修资助项目(2017GRGDYX041)
随着军事和民用对高集成度、多色化光电探测的不断需求,在近几十年内,紫外-红外(UV-IR)双色集成探测器从无到有,从彼此独立的紫外和红外探测器的简单集成发展到如今量子阱结构、键合结构等新型集成技术,但不同的光敏材料或系统带来较大...
关键词：双色探测器 紫外-红外 氧化物 Ⅲ族氮化物 
AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaNHEMT材料电学性质的影响被引量：7
《中国激光》2013年第6期259-263,共5页陈翔 邢艳辉 韩军 李影智 邓旭光 范亚明 张晓东 张宝顺 
国家自然科学基金(61176126;61006084;61204011);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003;4112006)资助课题
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5nm的HEMT材料,二维电子气浓度和迁移率分别达...
关键词：材料 A1N 高电子迁移率晶体管 电学性质 二维电子气 迁移率 
应用于高密度近场光存储技术的亚波长纳米孔被引量：1
《半导体光电》2010年第3期418-421,共4页李海军 林文魁 张晓东 査强 王媛 朱贺 付思齐 张宝顺 
苏州市科技发展专项项目(ZXG0712)
近场光存储技术因其高分辨率、超出传统光学衍射极限的限制等特点成为实现下一代高密度光存储的关键解决方案之一。目前应用的主要瓶颈是其光源较低的透过强度难以达到实际应用的要求。文章利用金属表面的周期性结构激发表面等离子体激...
关键词：近场光学 表面等离子体 亚波长纳米孔 透过率 
表面等离子体近场光刻制作二维纳米阵列被引量：2
《微纳电子技术》2010年第1期60-63,共4页李海军 林文魁 张晓东 王逸群 曾春红 赵德胜 王敏锐 张宝顺 
苏州市科技发展计划(ZXG0712)
重点介绍了采用表面等离子体增强效应的近场光刻制作亚微米结构的二维点阵图形的技术。在研究亚波长纳米孔阵列超透射现象基本原理的基础上,应用有限差分时域(FDTD)算法数值模拟了周期性孔阵列的电场强度分布,讨论了纳米孔阵列所激发的...
关键词：表面等离子体 近场光刻 纳米孔阵列 二维纳米阵列 金膜 
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