IMPATT二极管

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GaN极性和Al组份对AlcGa1−cN/GaN双异质结IMPATTD性能的影响
《温州大学学报（自然科学版）》2024年第2期37-48,共12页王渊 
GaN基碰撞雪崩渡越时间二极管(IMPATTD)是前景光明的太赫兹波源,具有输出功率高、转换效率高、体积小、集成方便等优点.构建了GaN/AlcGa1-cN/GaN和AlcGa1-cN/GaN/AlcGa1-cN双异质结构(DHS)n+/n/i/p/p+型IMPATTD,通过求解半导体器件基本...
关键词：AlcGa1-cN/GaN双异质结 极性 IMPATT二极管 
GaN基同型异质结IMPATT二极管噪声特性研究
《微电子学》2022年第3期459-465,共7页戴扬 党江涛 叶青松 卢昭阳 张为伟 雷晓艺 赵胜雷 赵武 
国家自然科学基金资助项目(61804125,61701402,62004163)。
针对p型GaN IMPATT制造工艺仍未成熟,提出了一种InGaN/GaN n-n型异质结构来取代常规p-n结构,使GaN IMPATT二极管工作在IMPATT模式下。研究了这种n-n型InGaN/GaN碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的噪声特性,与同等条件下的传统GaN基p-...
关键词：INGAN/GAN 异质结 IMPATT 均方噪声电压 噪声测度 
SiC/GaN IMPATT二极管的交流性能研究
《微电子学》2022年第1期125-131,共7页戴扬 叶青松 党江涛 卢昭阳 张为伟 雷晓艺 张云尧 廖晨光 赵胜雷 赵武 
国家自然科学基金资助项目(61804125,62001382,62004163)。
利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管。对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真。结果表明,相比传统GaN单漂移(SDR)IMAPTT二极管,p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电...
关键词：双漂移 异质结 碳化硅 氮化镓 IMPATT二极管 
In_(0.4)Ga_(0.6)N/GaN异质结IMPATT二极管性能仿真研究
《微电子学》2021年第6期923-928,共6页戴扬 卢昭阳 叶青松 党江涛 雷晓艺 张云尧 廖晨光 赵胜雷 赵武 
国家自然科学基金资助项目(61804125,61701402,62004163)。
提出了一种In_(0.4)Ga_(0.6)N/GaN同型异质结构IMPATT二极管。传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案。详细研究了In_(0.4)Ga_(0.6)N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPAT...
关键词：效率 同型异质结 铟镓氮 IMPATT二极管 
反向泄漏电流对GaN基雪崩渡越时间二极管性能的影响被引量：1
《现代应用物理》2021年第4期93-99,共7页戴扬 卢昭阳 党江涛 叶青松 雷晓艺 张云尧 廖晨光 赵武 
国家自然科学基金资助项目(61804125,62004163);陕西省教育厅科研计划项目(19JK0846,19JK0856)。
研究了不同反向泄漏电流密度下的GaN基雪崩渡越时间(IMPATT)二极管大信号输出特性。仿真结果表明,IMPATT二极管的交流性能会随着反向泄漏电流密度的增大而显著降低。对IMPATT二极管工作时的内部特性的研究表明,引起IMPATT二极管性能衰...
关键词：反向泄漏电流 相位延迟 电场 IMPATT二极管 
能量弛豫时间对氮化镓IMPATT二极管直流特性的影响
《潍坊学院学报》2021年第2期30-32,36,共4页张向东 苑龙军 
电子的能量弛豫时间受半导体材料中各种散射机制的影响,高场下能量弛豫时间不仅是电场强度的函数,也是载流子温度的函数,该参数严重影响碰撞电离雪崩渡越时间二极管的电学特性。本文利用流体动力学模型研究了不同的能量弛豫时间对氮化...
关键词：氮化镓 IMPATT 能量弛豫时间 
In0.17Al0.83N/GaN IMPATT二极管的温度特性
《半导体技术》2020年第12期936-942,共7页李秀圣 曹连振 
国家自然科学基金资助项目(11404246);山东省重点研发计划资助项目(2019GGX101073)。
为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研究了温度对二极管直流及高频特性的影响,并与GaN同质结IMPATT二极管的温度...
关键词：In0.17Al0.83N/GaN 二极管 异质结 碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT) 温度特性 
GaN/SiC基异质结亚毫米波IMPATT二极管特性研究
《潍坊学院学报》2020年第2期1-5,共5页李秀圣 
碰撞电离雪崩渡越时间二极管是高频通信领域最具潜力的功率电子学器件,硅和砷化镓材料广泛用于该器件的制造中,但材料较小的禁带宽度限制了二极管的功率输出能力及直流-射频转换效率。为了克服这一问题,利用宽禁带半导体(如SiC、GaN)制...
关键词：异质结 GaN/SiC IMPATT 亚毫米波 
不同载流子输运模型对GaN IMPATT二极管直流特性的影响研究
《潍坊学院学报》2018年第6期14-17,共4页李秀圣 
本文利用氮化镓半导体,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并利用漂移-扩散输运模型和流体动力学输运模型,在Sentaurus模拟器中对器件的直流特性进行了模拟研究。通过对比研究,发现漂移-扩散模型过高估计了器...
关键词：氮化镓 IMPATT 漂移-扩散 流体动力学 
氮化镓基IMPATT二极管电学特性模拟研究
《潍坊学院学报》2017年第6期16-19,共4页马春玲 
基于宽禁带半导体氮化镓材料,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并对其直流特性和高频特性进行了模拟研究。模拟结果显示该IMPATT二极管工作频率达到300GHz,输出功率为1.94W,直流-射频转换效率达到17.2%,结...
关键词：宽禁带半导体 氮化镓 IMPATT 
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