不同载流子输运模型对GaN IMPATT二极管直流特性的影响研究  

作　　者：李秀圣[1] 

机构地区：[1]潍坊学院,山东潍坊261061

出　　处：《潍坊学院学报》2018年第6期14-17,共4页Journal of Weifang University

摘　　要：本文利用氮化镓半导体,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并利用漂移-扩散输运模型和流体动力学输运模型,在Sentaurus模拟器中对器件的直流特性进行了模拟研究。通过对比研究,发现漂移-扩散模型过高估计了器件内部载流子的碰撞电离率,而流体动力学模型更能精确的揭示器件内部载流子的电离过程。

关 键 词：氮化镓 IMPATT 漂移-扩散 流体动力学 

分 类 号：TN311[电子电信—物理电子学]