InGaP/InGaAlP量子阱激光器输出特性的研究  

作　　者：艾德臻[1] 郭有瑞[1] 

机构地区：[1]苏州建设交通高等职业技术学校,江苏苏州215100

出　　处：《甘肃科技》2010年第8期40-41,共2页Gansu Science and Technology

摘　　要：半导体红光激光器以其体积小、价格便宜等越来越成为人们关注的焦点。通过测定InGaP/InGaA lP量子阱激光器的I-V关系和不同电压下的发射光谱,对输出光谱的半高宽和发光峰位随外加电压的变化进行了分析。

关 键 词：量子阱 激光器 I—V特性 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]