云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- LP-MOCVD

LP-MOCVD: 作品数：40被引量：54H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：汪韬刘宝林杨树人申德振张吉英更多>>; 相关机构：中国科学院吉林大学华南师范大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>; 相关期刊：《Optoelectronics Letters》《半导体技术》《华南理工大学学报（自然科学版）》《光子学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家攀登计划福建省自然科学基金更多>>

InAsSb材料的LP-MOCVD生长: 《半导体光电》2015年第5期733-735,740,共4页徐庆安邵逸恺汪韬尹飞闫欣辛丽伟王警卫; 国家自然科学基金项目(61176006); 采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长。采用X射线双晶...; 关键词：INASSB LP-MOCVD 超晶格 GaSb衬底红外探测器

Influence of growth temperature on crystalline quality and Raman property of InAs_(0.6)P_(0.4)/InP: 《Optoelectronics Letters》2014年第4期269-272,共4页刘霞曹连振宋航蒋红; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.11174224);the Science and Technology Development Program of Shandong Province(No.2013YD01016);the Higher School Science and Technology Program of Shandong Province(No.J13LJ54); InAs0.6P0.4 epilayers grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition(LP-MOCVD) on InP(100) substrate are investigated. The influence of growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4 epilayer ...; 关键词：最适生长温度拉曼散射光谱结晶质量特性磷化铟 LP-MOCVD 扫描电子显微镜化学气相沉积

闪锌矿B_xAl_(1-x)As合金的LP-MOCVD生长研究: 《光电子．激光》2010年第8期1193-1195,共3页李佳健王琦张霞杨跃任晓敏黄永清; 国家“863”计划资助项目(2009AA03Z417);国际科技合作计划重点资助项目(2006DFB11110);高等学校学科创新引智计划资助项目(B07005); 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长工艺,采用三乙基硼(TEB)源,在GaAs(001)衬底上生长了B并入比为0.4%～4.4%的一系列BxAl1-xAs合金。实验结果表明,BxAl1-xAs的最优生长温度为580℃;当生长温度为550℃和610℃时,BxAl1-xAs中B...; 关键词：BxAl1-xAs 三乙基硼(TEB) 低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD) X射线衍射(XRD) 原子力显微镜(AFM)

基于低温In_xGa_(1-x)P组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延被引量：1: 《光电子．激光》2009年第7期893-896,共4页刘红兵王琦任晓敏黄永清; 国家"863"计划资助项目(2006AA03Z416;2007AA03Z418);教育部"新世纪人才支持计划"资助项目(NCET-05-0111);高等学校学科创新引智计划资助项目(B07005);教育部"长江学者和创新团队发展计划"资助项目(IRT0609); 采用低温GaAs与低温组分渐变InxGa1-xP作为缓冲层,利用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,在GaAs(001)衬底上进行了InP/GaAs异质外延实验。实验中,InxGa1-xP缓冲层选用组分线性渐变生长模式(xIn0.49→1)。通过对InP/GaAs异质外延...; 关键词：InP/GaAs异质外延低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD) InxGa1-xP 组分渐变缓冲层

LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究被引量：3: 《光电子．激光》2009年第5期601-604,共4页李香萍张宝林申人升张源涛董鑫夏晓川; 国家自然科学基金资助项目(60576054,50532080,60676040); 采用低压-金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)在(100)p-Si衬底上制备未掺杂n型ZnO薄膜,并制作了相应的n-ZnO/p-Si异质结器件。通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和霍尔测试分别研究了所制备薄膜的结构、光学和电学特性,得到具有较高...; 关键词：ZNO薄膜 n-ZnO/p-Si 异质结金属有机化学气相沉积(MOCVD) 电致发光(EL)

LP-MOCVD两步生长法制备的InAs_(0.9)Sb_(0.1)/GaAs: 《发光学报》2007年第2期246-250,共5页谢建春缪国庆金亿鑫张铁民宋航蒋红刘乃康李志明; 国家自然科学基金资助项目(50372067); 利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮...; 关键词：金属有机化学气相沉积 INASSB 两步生长法 GAAS

Growth and Characterisation of In AsSb Ternary Layers on (100) GaSb Substrates by LP-MOCVD: 《Journal of Semiconductors》2005年第12期2298-2302,共5页李晓婷汪韬王警卫王一丁殷景致赛小锋高鸿楷张志勇; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA313080);国家自然科学基金(批准号:60378020)资助项目~~; InAsSb alloys are grown on n-（100） GaSb （Te-doped） and GaAs substrates by the MOCVD using TMIn, TMSb,and AsH3 sources. The influence of growth parameters such as temperature, Ⅴ/Ⅲ ratio,and buffer layer on the su...; 关键词：LP-MOCVD GASB INASSB GROWTH

GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究被引量：4: 《光子学报》2005年第9期1363-1366,共4页李晓婷王一丁汪韬殷景致王警卫赛小锋高鸿楷张志勇; 国家863计划(NO:2002AA313080);国家自然科学基金(NO:60378020)资助项目; 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影...; 关键词：LP-MOCVD GASB INASSB 生长温度

Ge衬底上GaInP_2材料的生长研究被引量：2: 《光子学报》2005年第6期909-911,共3页李晓婷汪韬赛小锋张志勇; 国家自然科学基金(编号为60378020)资助项目; 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LPMOCVD设备,在(100)面偏(110)面9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长温度为...; 关键词：LP-MOCVD GalnP2 Ge 材料

LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响被引量：16: 《物理学报》2005年第6期2899-2903,共5页孙贤开林碧霞朱俊杰张杨傅竹西; 国家自然科学基金项目(批准号:90201038;50132040;50472009;10474091);中国科学院知识创新工程项目(批准号:KJCX2-SW-04-02)资助的课题.~~; 利用低压金属有机化学气相淀积(LP MOCVD)在Si基片上外延生长ZnO薄膜,制备了两类样品一类是在Si上直接外延ZnO,另一类是在Si上通过SiC过渡层来外延ZnO.根据两类样品的拉曼光谱、x射线衍射、原子力显微图和光致发光的结果,表明ZnO外延薄...; 关键词：氧化锌薄膜外延应力拉曼光谱结构缺陷

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