云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王警卫

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InAsSb材料的LP-MOCVD生长: 《半导体光电》2015年第5期733-735,740,共4页徐庆安邵逸恺汪韬尹飞闫欣辛丽伟王警卫; 国家自然科学基金项目(61176006); 采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长。采用X射线双晶...; 关键词：INASSB LP-MOCVD 超晶格 GaSb衬底红外探测器

用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长: 《红外与毫米波学报》2011年第6期511-513,550,555,共5页汪韬杨瑾尹飞王警卫胡雅楠张立臣殷景致; 国家自然科学基金(60676039); 用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材...; 关键词：INAS/GASB超晶格禁带宽度金属有机物化学气相淀积法(MOCVD) 原子力显微镜(AFM) 光致发光(PL)谱

808nm连续波2000W半导体激光器垂直叠阵被引量：6: 《红外与激光工程》2011年第6期1075-1080,共6页张恩涛张彦鑫熊玲玲王警卫康利军杨凯吴迪袁振邦代华斌刘兴胜; 中国科学院科研装备项目(YZ200844); 为了全面提高大功率半导体激光器的性能和功率,采用双面散热技术,优化了大功率半导体激光器垂直叠阵和单bar器件的热管理和热设计,使得808 nm单bar半导体激光器在连续波工作模式下的功率达到100 W;808 nm 20 bar垂直叠阵功率达到2 000 ...; 关键词：高功率半导体激光器垂直叠阵微通道液体冷却连续波

利用红外光纤传像束测量桥丝感应电流被引量：1: 《光电子．激光》2011年第5期733-735,共3页胡雅楠汪韬尹飞杨瑾王警卫张立臣殷景致; 国家自然科学基金资助项目(60676039,60707018); 针对传统的桥丝式电点火头中感应电流测量方法在电磁环境测量时会引入电场或者磁场的干扰,本文基于红外光纤传像束耦合CCD红外探测器,提出一种非接触式远程测量的新方法。通过CCD红外探测器得到桥丝式电点火头辐射的热场灰度图像,根据...; 关键词：感应电流红外光纤传像束 CCD红外探测器灰度值桥丝温度

低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响被引量：2: 《光子学报》2009年第8期1937-1941,共5页吴雷学汪韬王警卫李晓婷景争尹飞梅书刚; 中国高技术研究发展计划(2005A000200);西部之光项目(2005ZD01);西安应用材料创新基金(XA-AM-200613)资助; 采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/...; 关键词：超晶格金属有机源化学气相沉积界面层表面形貌

GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析被引量：1: 《光子学报》2008年第12期2383-2386,共4页景争汪韬阮驰杨宏春王警卫吴雷学; 国家863高技术研究发展计划(2005A000200);西部之光(2005ZD01);西安应用材料创新基金(XA-AM-200613)资助; 针对光导开关阵列和光纤分束耦合的实际应用环境,提出一种新的实验方案,用于测试当触发光源相对于开关光敏面为点光源时入射位置对输出脉冲的影响.实验证明,不同的入射位置对开关输出脉冲有很大的影响.在入射光从负极向正极扫描过程中...; 关键词：光导开关 GAAS 触发位置半导体体内电场分布

Growth and Characterisation of In AsSb Ternary Layers on (100) GaSb Substrates by LP-MOCVD: 《Journal of Semiconductors》2005年第12期2298-2302,共5页李晓婷汪韬王警卫王一丁殷景致赛小锋高鸿楷张志勇; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA313080);国家自然科学基金(批准号:60378020)资助项目~~; InAsSb alloys are grown on n-（100） GaSb （Te-doped） and GaAs substrates by the MOCVD using TMIn, TMSb,and AsH3 sources. The influence of growth parameters such as temperature, Ⅴ/Ⅲ ratio,and buffer layer on the su...; 关键词：LP-MOCVD GASB INASSB GROWTH

GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究被引量：4: 《光子学报》2005年第9期1363-1366,共4页李晓婷王一丁汪韬殷景致王警卫赛小锋高鸿楷张志勇; 国家863计划(NO:2002AA313080);国家自然科学基金(NO:60378020)资助项目; 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影...; 关键词：LP-MOCVD GASB INASSB 生长温度

GaAs/Ge太阳能电池电极银镀层结合力的研究被引量：3: 《激光与光电子学进展》2004年第12期31-33,共3页李晓婷汪韬赛小锋王警卫; 采用自制的LP-MOCVD设备,在Ge衬底外延生长出GaAs电池结构,并对电池结构片进行了后工艺制作,同时对电极制作中银镀层结合力的影响因素进行了研究。研究结果表明选择带电入池,无冲击电流方式时,可增强银镀层的结合力。同时采用扫描电子...; 关键词：镀层结合力增强电极研究成分 SEM 电池结构太阳能电池带电

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