INASSB

作品数:60被引量:49H指数:3
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相关作者:邓功荣杨文运黄晖龚秀英高玉竹更多>>
相关机构:中国科学院昆明物理研究所中国科学院大学同济大学更多>>
相关期刊:《电子与封装》《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》《稀有金属材料与工程》《材料热处理学报》更多>>
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基于AlAsSb/InAsSb超晶格势垒的InAs/InAsSbⅡ类超晶格nBn中波红外探测器被引量:1
《红外与毫米波学报》2024年第4期450-456,共7页单一凡 吴东海 谢若愚 周文广 常发冉 李农 王国伟 蒋洞微 郝宏玥 徐应强 牛智川 
Supported by the Research Foundation for Advanced Talents of the Chinese Academy of Sciences(E27RBB03)。
InAs/InAsSbⅡ类超晶格避免了InAs/GaSbⅡ类超晶格中与Ga原子相关的缺陷复合中心,具有更高的少数载流子寿命,在高工作温度中波红外探测器制备方面有着良好的应用前景。少数载流子单极势垒结构通常被用来抑制探测器暗电流,如nBn结构探测...
关键词:InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格 AlAsSb/InAsSb势垒 中波红外 势垒探测器 
Investigation on p-type doping of PBn unipolar barrier InAsSb photodetectors
《红外与毫米波学报》2024年第4期472-478,共7页ZHANG Jian CHANG Chao LI Hong-Fu SHI Yu-Na YIN Han-Xiang LI Yan-Hui YUE Biao WANG Hai-Peng YAN Chang-Shan DAI Xin-Ran DENG Gong-Rong KONG Jin-Cheng ZHAO Peng ZHAO Jun 
Supported by the Candidate Talents Training Fund of Yunnan Province(202205AC160054);the National Natural Science Foundation of China(62174156)。
The lattice-matched XBn structures of InAsSb,grown on GaSb substrates,exhibit high crystal quali⁃ty,and can achieve extremely low dark currents at high operating temperatures(HOT).Its superior performance is attribute...
关键词:INASSB PBN p-type doping dark current 
非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器
《红外与毫米波学报》2024年第2期166-173,共8页贾春阳 邓功荣 赵鹏 朱之贞 赵俊 张逸韵 
国家自然科学基金(62174156)。
高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XBnn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有显著抑制作用。本文在GaSb衬底上采用分子束外延技术生长了nBn和pBn两种结构的InAsSb/AlAsSb/A...
关键词:InAsSb基 非制冷 高速 中波红外 势垒型探测器 
Design and modeling of high‑performance mid‑wave infrared InAsSb‑based nBn photodetector using barrier band engineering approaches
《Frontiers of Optoelectronics》2023年第1期73-83,共11页Maryam Shaveisi Peiman Aliparast 
We report a new nBn photodetector(nBn-PD)design based on the InAlSb/AlSb/InAlSb/InAsSb material systems for midwavelength infrared(MWIR)applications.In this structure,delta-doped compositionally graded barrier(δ-DCGB...
关键词:Mid-wave infrared detectors III-V compound semiconductors Grading material systems nBn architecture 
用于中波红外探测的InAsP/InAsSb超晶格的MOCVD生长和表征
《红外与毫米波学报》2022年第6期995-1001,共7页怀运龙 朱虹 朱赫 刘家丰 李萌 刘振 黄勇 
国家自然科学基金(61874179,62074156,11874390)。
提出了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长无Ga且应力平衡的InAsP/InAsSb超晶格,并探索了其作为红外吸收材料的可行性。首先采用k·p理论计算了InAsP/InAsSb超晶格的带隙,发现其波长调节范围可以从中波红外到长波红外。然后通过MOCVD...
关键词:金属有机化学气相沉积 InAsP/InAsSb超晶格 中波红外 
铟砷锑红外探测器的研究进展被引量:2
《红外技术》2022年第10期1009-1017,共9页陈冬琼 杨文运 邓功荣 龚晓霞 范明国 肖婷婷 尚发兰 余瑞云 
云南省中青年学术和技术带头人后备人才项目(202205AC160054)。
InAs_(1-x)Sb_(x)属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随Sb组分含量的不同,室温下可覆盖3~12μm波长,并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系数大、载流子迁移率高等优点,是一种具有广阔应用前景的红外光电材料。探测器可以在150 K甚至...
关键词:红外探测器 INASSB 高工作温度 
InAsSb势垒阻挡型红外探测器暗电流特性研究被引量:2
《红外与毫米波学报》2022年第5期810-817,共8页陈冬琼 王海澎 秦强 邓功荣 尚发兰 谭英 孔金丞 胡赞东 太云见 袁俊 赵鹏 赵俊 杨文运 
云南省中青年学术和技术带头人后备人才项目(202205AC160054)。
计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命,结果表明,低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程,而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及...
关键词:铟砷锑 高工作温度 势垒 中红外 
基于GaAs衬底的1280×1024 InAsSb双色焦平面阵列技术
《红外》2021年第10期45-48,共4页张小华 
前几年,Ⅲ-Ⅴ族锑基探测器替代了HgCdTe探测器,主要因为其成本更低,均匀性和稳定性更好,易于扩展到更大的格式。与中红外波段的HgCdTe材料相比,Ⅲ-Ⅴ材料更容易加工成大尺寸、小间距的焦平面阵列。焦平面阵列成像仪中的传统红外探测器...
关键词:焦平面阵列 探测器阵列 红外探测器 HGCDTE探测器 中红外波段 GAAS衬底 HGCDTE材料 探测器材料 
分子束外延InAsSb材料中As组分的研究
《红外》2020年第10期15-19,共5页周朋 徐碧婷 刘铭 申晨 邢伟荣 
四川省教育厅自然科学重点基金项目(18ZA0231)。
基于nBn结构的InAsSb器件具有扩散电流极限低、造价低廉、容易实现大面阵以及可兼容现有III--V族二极管电路等诸多优点,是小型化、低功耗、低成本、高分辨率中长波探测器的首选之一。在InAsSb材料的外延生长过程中,As的组分很难精确控...
关键词:分子束外延 INASSB As组分 截止波长 
High-performance midwavelength infrared detectors based on InAsSb nBn design被引量:1
《Chinese Physics B》2020年第6期549-552,共4页Xuan Zhang Qing-Xuan Jia Ju Sun Dong-Wei Jiang Guo-Wei Wang Ying-Qiang Xu Zhi-Chuan Niu 
National Key Technologies Research and Development Program of China(Grant No.2018YFA0209104);the Major Program of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61790581).
we report n Bn photodetectors based on In As0.91 Sb0.09 with a 100% cut-off wavelength of 4.75 μm at 300 K. The band of an n Bn detector is similar to that of a standard pin detector, but there is special wide bandga...
关键词:infrared detector INASSB NBN 
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