赵鹏

作品数：26被引量：55H指数：4
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供职机构：昆明物理研究所更多>>
发文主题：碲镉汞暗电流红外探测器材料红外探测器INASSB更多>>
发文领域：电子电信文化科学一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《红外技术》《红外与毫米波学报》《红外与激光工程》《激光与红外》更多>>
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基于微结构的红外焦平面芯片MTF测试被引量：1
《红外技术》2024年第7期821-825,共5页张应旭 李培源 司洋 姚亮亮 赵鹏 袁绶章 殷慧 李雄军 
调制传递函数是用于评价红外焦平面芯片对不同空间频率目标成像能力的重要参数,焦平面芯片的调制传递函数受像元光敏面尺寸、中心距和载流子扩散长度的影响,随着像元中心距的减小,载流子扩散长度对调制传递函数的影响将更加明显。本文...
关键词：红外焦平面 调制传递函数 倾斜刀口法 微结构 
非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器
《红外与毫米波学报》2024年第2期166-173,共8页贾春阳 邓功荣 赵鹏 朱之贞 赵俊 张逸韵 
国家自然科学基金(62174156)。
高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XBnn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有显著抑制作用。本文在GaSb衬底上采用分子束外延技术生长了nBn和pBn两种结构的InAsSb/AlAsSb/A...
关键词：InAsSb基 非制冷 高速 中波红外 势垒型探测器 
高工作温度碲镉汞p-on-n中波1024×768焦平面探测器
《红外与毫米波学报》2023年第6期711-715,共5页何天应 秦强 孔金丞 覃钢 杨超伟 王向前 李红福 王琼芳 李永亮 杨翼虎 李轶民 宋林伟 杨秀华 罗云 陈楠 胡旭 赵俊 赵鹏 
Supported by the National Key Research and Development Program of China(SQ2020YFB200190)。
提高红外探测器的工作温度对于减小红外系统的尺寸、重量和功耗至关重要,进而实现结构紧凑和成本低廉的红外系统。昆明物理研究所多年来对掺铟和砷离子注入技术的HgCdTe p-on-n技术进行了优化,实现了性能优异的中波红外探测器的研制。...
关键词：碲镉汞 高工作温度 中波红外 噪声等效温差 暗电流 
高工作温度中波红外碲镉汞焦平面研究
《红外与毫米波学报》2023年第5期588-593,共6页覃钢 秦强 何天应 宋林伟 左大凡 杨超伟 李红福 李轶民 孔金丞 赵鹏 赵俊 
Supported by National Key Research and Development Program of China(SQ2020YFB200190)。
该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况。通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位In掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μ...
关键词：高工作温度 中波红外 碲镉汞 噪声等效温差 有效像元率 
中长双色红外焦平面探测器组件技术研究被引量：3
《红外与毫米波学报》2023年第3期292-299,共8页耿松 杨晋 李树杰 覃钢 李立华 赵俊 李艳辉 孔金丞 赵鹏 左大凡 胡彦博 梁艳 任洋 
国家科技重大专项。
在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2~10μm)密度统计分布约773 c...
关键词：中长双色 碲镉汞 分子束外延 等离子体刻蚀 串音 
Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究被引量：1
《红外与激光工程》2023年第4期1-8,共8页宋林伟 孔金丞 赵鹏 姜军 李雄军 方东 杨超伟 舒畅 
昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了363Ω...
关键词：Au掺杂 暗电流 长波红外 碲镉汞(HgCdTe) 焦平面 
碲镉汞线性雪崩焦平面器件评价及其应用(特邀)
《红外与激光工程》2023年第3期52-63,共12页张应旭 陈虓 李立华 赵鹏 赵俊 班雪峰 李红福 龚晓丹 孔金丞 郭建华 李雄军 
碲镉汞线性雪崩焦平面探测器具有高增益、高带宽及低过剩噪声等特点,在航空航天、天文观测、军事装备及地质勘探等领域展现了巨大的应用潜力。目前,国内已经开展了碲镉汞线性雪崩焦平面器件的研制工作,但缺乏评价其性能的方法及标准,同...
关键词：碲镉汞 APD 性能评价 主被动双模成像 快速红外成像 
昆明物理研究所大面积水平推舟液相外延碲镉汞薄膜技术进展被引量：4
《红外技术》2023年第2期111-122,共12页孔金丞 宋林伟 起文斌 姜军 丛树仁 刘燕 荣徽宇 许江明 方东 赵鹏 姬荣斌 
报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)cm^(-2),...
关键词：液相外延 碲锌镉衬底 碲镉汞薄膜 
碲镉汞APD焦平面技术研究被引量：3
《红外与毫米波学报》2022年第6期965-971,共7页李雄军 张应旭 陈虓 李立华 赵鹏 杨振宇 杨东 姜炜波 杨鹏伟 孔金丞 赵俊 姬荣斌 
云南省科技人才与平台计划项目(202105AD160047)。
采用LPE生长的中波碲镉汞材料,通过B离子注入n-on-p平面结技术制备了规模为256×256,像元中心距为30μm的碲镉汞APD焦平面探测器芯片。在液氮温度下对其增益、暗电流以及过噪因子等性能参数进行了测试分析,结果表明,所制备的碲镉汞APD...
关键词：碲镉汞 APD 增益 暗电流 过噪因子 
高工作温度p-on-n中波碲镉汞红外焦平面器件研究被引量：1
《红外与激光工程》2022年第12期47-51,共5页杨超伟 赵鹏 黄伟 秦强 何天应 李红福 浦同俊 刘艳珍 熊伯俊 李立华 
As注入掺杂的p-on-n结构碲镉汞红外探测器件具有少子寿命长、暗电流低、R0A值高等优点,是高温器件研究的重要技术路线之一。针对阵列规模640×512、像元中心距15μm的As掺杂工艺制备的p-on-n中波碲镉汞焦平面器件,测试了不同工作温度下...
关键词：高工作温度 碲镉汞 p-on-n As掺杂 
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