耿松

作品数:6被引量:10H指数:2
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发文主题:碲镉汞表面钝化钝化膜I-V接触孔更多>>
发文领域:电子电信理学电气工程更多>>
发文期刊:《红外与毫米波学报》《红外技术》《红外》更多>>
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磁控溅射碲镉汞表面钝化模拟研究
《红外》2025年第2期13-19,共7页高志富 王文 李树杰 耿松 何胤 桂希欢 左大凡 李雄军 
碲镉汞(HgCdTe)表面钝化层的化学计量比对器件性能具有至关重要的影响。通过SRIM软件模拟了Ar^(+)溅射能量和入射角度对表面钝化层化学计量比的影响。模拟结果表明,在300~500 eV能量范围内,CdTe和ZnS对Ar^(+)的核阻止本领远大于电子阻...
关键词:磁控溅射 阻止本领 表面钝化 溅射产额 择优溅射 
中长双色红外焦平面探测器组件技术研究被引量:3
《红外与毫米波学报》2023年第3期292-299,共8页耿松 杨晋 李树杰 覃钢 李立华 赵俊 李艳辉 孔金丞 赵鹏 左大凡 胡彦博 梁艳 任洋 
国家科技重大专项。
在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2~10μm)密度统计分布约773 c...
关键词:中长双色 碲镉汞 分子束外延 等离子体刻蚀 串音 
CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究被引量:1
《红外技术》2018年第8期733-738,共6页林占文 韩福忠 李雄军 耿松 史琪 胡彦博 杨超伟 林阳 
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后...
关键词:长波碲镉汞 溅射功率 CdTe钝化膜 界面电学特性 I-V C-V 
长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究
《红外技术》2018年第7期668-672,711,共6页林占文 韩福忠 耿松 李雄军 史琪 王海澎 王向前 蒋俊 
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表...
关键词:长波碲镉汞 氢化处理 AFM 界面电学特性 I-V 焦平面器件测试 
3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究被引量:1
《红外技术》2018年第4期322-326,共5页林占文 韩福忠 耿松 李雄军 史琪 王向前 
针对大面积碲镉汞表面钝化膜的应力问题,基于磁控溅射技术在3 in Ge基碲镉汞表面采用不同工艺条件沉积了ZnS钝化膜,并对其进行了退火处理。利用台阶仪和原子力显微镜(AFM)对ZnS钝化膜的应力及表面形貌进行了表征分析,结果表明:在磁控溅...
关键词:表面钝化 ZnS钝化膜 钝化膜应力 退火 AFM 锗衬底 碲镉汞 
碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术被引量:6
《红外技术》2015年第10期864-867,共4页韩福忠 耿松 史琪 袁授章 杨伟声 蒋俊 汤金春 
国防基础科研项目
碲镉汞(Hg1-xCdxTe)红外器件的制备过程中,表面钝化工艺对于器件性能具有很大影响。通过实验,研究了溅射功率、靶基距、基片摆动角度等工艺参数对碲镉汞衬底上制备的CdTe/ZnS复合钝化膜层质量的影响。实验结果表明,当CdTe与ZnS溅射靶功...
关键词:碲镉汞 红外探测器 表面钝化 膜层非均匀性 
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