李雄军

作品数：41被引量：83H指数：6
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发文主题：碲镉汞非晶态碲镉汞薄膜长波碲镉汞红外探测器更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《中国粉体技术》《红外与毫米波学报》《中国科学：技术科学》《红外》更多>>
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磁控溅射碲镉汞表面钝化模拟研究
《红外》2025年第2期13-19,共7页高志富 王文 李树杰 耿松 何胤 桂希欢 左大凡 李雄军 
碲镉汞(HgCdTe)表面钝化层的化学计量比对器件性能具有至关重要的影响。通过SRIM软件模拟了Ar^(+)溅射能量和入射角度对表面钝化层化学计量比的影响。模拟结果表明,在300~500 eV能量范围内,CdTe和ZnS对Ar^(+)的核阻止本领远大于电子阻...
关键词：磁控溅射 阻止本领 表面钝化 溅射产额 择优溅射 
基于微结构的红外焦平面芯片MTF测试被引量：1
《红外技术》2024年第7期821-825,共5页张应旭 李培源 司洋 姚亮亮 赵鹏 袁绶章 殷慧 李雄军 
调制传递函数是用于评价红外焦平面芯片对不同空间频率目标成像能力的重要参数,焦平面芯片的调制传递函数受像元光敏面尺寸、中心距和载流子扩散长度的影响,随着像元中心距的减小,载流子扩散长度对调制传递函数的影响将更加明显。本文...
关键词：红外焦平面 调制传递函数 倾斜刀口法 微结构 
近化学计量比的HgCdTe薄膜表面处理方法
《红外技术》2024年第6期646-653,共8页王嘉龙 刘艳珍 杨晓坤 黄福云 杨超伟 李雄军 
本文采用X射线光电子能谱检测技术分别对溴-甲醇(Br_(2):Me)、溴-氢溴酸(Br_(2):HBr)和溴-氢溴酸-乙二醇(Br_(2):HBr:Eg)3种体系的腐蚀液处理后的HgCdTe表面状态进行了研究,结果表明这3种溴基腐蚀液均会造成HgCdTe表面富碲(Te^(0)),且...
关键词：碲镉汞 表面处理 富碲 等离子体氧化 近化学计量比 
碲镉汞红外探测器研究进展被引量：5
《中国科学：技术科学》2023年第9期1419-1433,共15页赵俊 王晓璇 李雄军 张应旭 秦强 宋林伟 袁绶章 孔金丞 姬荣斌 
国防科技卓越青年科学基金(编号:2020-JCJQ-ZQ-52)资助项目。
基于碲镉汞材料体系,现代红外探测器技术进入体系化发展快车道,经过近六十年发展,碲镉汞红外探测器俨然成为高性能红外探测器的基线,已经完成三代迭代,正在开展第四代探索.近几十年来,锑化铟、量子阱、二类超晶格、量子点等材料体系对...
关键词：碲镉汞 红外探测器 焦平面 
Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究被引量：1
《红外与激光工程》2023年第4期1-8,共8页宋林伟 孔金丞 赵鹏 姜军 李雄军 方东 杨超伟 舒畅 
昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了363Ω...
关键词：Au掺杂 暗电流 长波红外 碲镉汞(HgCdTe) 焦平面 
碲镉汞表面处理中异常现象的分析及控制
《红外与毫米波学报》2023年第2期149-155,共7页刘艳珍 李树杰 张应旭 辛永刚 李志华 林阳 李雄军 秦强 蒋俊 郭建华 
Supported by Yunnan Science and Technology Talents and Platform Project(202105AD160047)。
表面处理是碲镉汞(HgCdTe)红外探测器芯片制作流程的开始,其效果会直接影响芯片的良品率。采用金相显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)分析手段,探究了碲镉汞表面处理工艺中四种典型的表面异常现象的成因,并提出了相应...
关键词：碲镉汞 表面处理 水痕缺陷 染色现象 圆斑现象 过粗糙现象 
碲镉汞线性雪崩焦平面器件评价及其应用(特邀)
《红外与激光工程》2023年第3期52-63,共12页张应旭 陈虓 李立华 赵鹏 赵俊 班雪峰 李红福 龚晓丹 孔金丞 郭建华 李雄军 
碲镉汞线性雪崩焦平面探测器具有高增益、高带宽及低过剩噪声等特点,在航空航天、天文观测、军事装备及地质勘探等领域展现了巨大的应用潜力。目前,国内已经开展了碲镉汞线性雪崩焦平面器件的研制工作,但缺乏评价其性能的方法及标准,同...
关键词：碲镉汞 APD 性能评价 主被动双模成像 快速红外成像 
碲镉汞APD焦平面技术研究被引量：3
《红外与毫米波学报》2022年第6期965-971,共7页李雄军 张应旭 陈虓 李立华 赵鹏 杨振宇 杨东 姜炜波 杨鹏伟 孔金丞 赵俊 姬荣斌 
云南省科技人才与平台计划项目(202105AD160047)。
采用LPE生长的中波碲镉汞材料,通过B离子注入n-on-p平面结技术制备了规模为256×256,像元中心距为30μm的碲镉汞APD焦平面探测器芯片。在液氮温度下对其增益、暗电流以及过噪因子等性能参数进行了测试分析,结果表明,所制备的碲镉汞APD...
关键词：碲镉汞 APD 增益 暗电流 过噪因子 
甚长波碲镉汞红外焦平面探测器
《红外与毫米波学报》2022年第5期818-824,共7页李雄军 邹雷 赵鹏 杨超伟 熊伯俊 王向前 张应旭 刘艳珍 李红福 赵榆松 张绍裕 李立华 
云南省科技人才与平台计划项目(202105AD160047)。
采用砷离子注入p-on-n平面结技术制备了77 K工作温度下截止波长分别为13.23μm和14.79μm、像元中心距为25μm的甚长波640×512探测器,并对其基本性能和暗电流进行了测试和分析。结果表明,对于截止波长为13.23μm的甚长波640×512(25μ...
关键词：甚长波 p-on-n 碲镉汞 焦平面探测器 R0A 
p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究被引量：4
《红外与毫米波学报》2022年第3期534-539,共6页李立华 熊伯俊 杨超伟 李雄军 万志远 赵鹏 刘湘云 
红外专项项目(LZX20190302)。
As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R_(0)A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、...
关键词：碲镉汞红外探测器 p-on-n长波器件 焦平面性能测试 NETD 暗电流 
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