碲镉汞红外探测器

作品数:41被引量:105H指数:6
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相关机构:中国科学院中国电子科技集团第十一研究所中国科学院大学昆明物理研究所更多>>
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长波碲镉汞红外探测器低光通量下的性能研究
《激光与红外》2024年第10期1579-1585,共7页魏佳欣 林春 王溪 林加木 周松敏 李珣 
为了评价n-on-p长波碲镉汞红外焦平面探测器在低光通量下的性能参数,搭建了低光通量测试平台。首先,介绍了低光通量测试平台相关情况,并对器件的暗电流测试结果进行了分析。然后,在低光通量测试平台上对长波碲镉汞红外探测器在低光通量...
关键词:长波 碲镉汞 n-on-p 低光通量 
碲镉汞红外探测器离子束刻蚀研究
《激光与红外》2024年第9期1410-1416,共7页宁提 何斌 刘静 徐港 
电极成型技术是红外焦平面探测器的重要组成部分,离子束刻蚀技术由于具有高各向异性和高分辨率等诸多优点,适用于制备低损伤、高均匀性以及可生产性的电极体系。本文采用离子束刻蚀制备了平面型、台面型器件的电极结构,通过FIB和SEM表...
关键词:碲镉汞 离子束刻蚀 电极接触 热处理 
碲镉汞红外探测器前置放大电路低温稳定性研究被引量:1
《半导体光电》2024年第4期653-657,共5页韩俊丽 刘福浩 杨晓阳 马丁 余双洋 李向阳 
国家重点研发计划项目(2023YFF0721800)。
在航天工程应用过程中,发现室温下HgCdTe红外探测器前置放大电路输出正常,但是当温度降低至-55℃时,输出有振荡现象,对探测器施加红外辐照后振荡现象加剧。文章首次对该现象进行系统研究,提出了HgCdTe红外探测器电路在低温下光照后的等...
关键词:等效模型 电路低温光致振荡现象 产生机制 抑制方法 
高工作温度碲镉汞红外探测器杜瓦结构研究被引量:1
《激光与红外》2024年第7期1081-1085,共5页张利明 李艳红 冯志攀 宋淑芳 付志凯 王冠 张磊 
随着第三代红外探测器技术的快速发展,高工作温度红外探测器成为重要的发展方向。本文报道了在高工作温度碲镉汞红外探测器杜瓦结构小型化、低功耗、高可靠性方面的研究进展。通过杜瓦结构的优化设计,搭配旋转整体式低温制冷机K562S sho...
关键词:高工作温度 碲镉汞 红外探测器 小型化 低功耗 可靠性 
碲镉汞红外探测器研究进展被引量:5
《中国科学:技术科学》2023年第9期1419-1433,共15页赵俊 王晓璇 李雄军 张应旭 秦强 宋林伟 袁绶章 孔金丞 姬荣斌 
国防科技卓越青年科学基金(编号:2020-JCJQ-ZQ-52)资助项目。
基于碲镉汞材料体系,现代红外探测器技术进入体系化发展快车道,经过近六十年发展,碲镉汞红外探测器俨然成为高性能红外探测器的基线,已经完成三代迭代,正在开展第四代探索.近几十年来,锑化铟、量子阱、二类超晶格、量子点等材料体系对...
关键词:碲镉汞 红外探测器 焦平面 
硅基碲镉汞红外探测器表面钝化研究
《红外》2023年第8期28-33,共6页戴永喜 何斌 郑天亮 宁提 李乾 张雨竹 
国家重点研发计划资助课题(2018YFB2200301);研究生科研与实践创新计划校级项目(2021XKT1254)。
碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)材料的表面钝化是红外探测器制备中的关键工艺之一。高性能MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面。因此,探究MCT表面钝化技术具有重要意义。研究了MCT的分子束外延(Mol...
关键词:碲化镉 分子束外延 钝化 电流-电压特性 
缩小步进投影光刻机在碲镉汞红外探测器芯片工艺中的应用
《红外》2023年第5期1-7,共7页赵成城 陈书真 雷峥 孟晓兰 
光刻是制备碲镉汞红外探测器芯片过程中非常关键的工艺。目前绝大部分碲镉汞芯片制备都是使用接触式光刻技术,但是在曝光面型起伏较大的芯片时工艺均匀性较差,并且掩膜在与芯片接触时容易损伤芯片。针对接触式光刻的这些缺点,利用尼康...
关键词:碲镉汞 红外探测器 缩小步进投影光刻 
甚长波碲镉汞红外探测器制备研究被引量:3
《激光与红外》2022年第10期1527-1531,共5页田震 宋淑芳 邢艳蕾 孙浩 刘世光 
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双层异质结材料。并通过提高材料质量将双层异质结材料的双晶衍射半峰宽控制在30 arcsec以内。基于台面器...
关键词:双层异质结 甚长波红外 碲镉汞 红外焦平面探测器 
p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究被引量:4
《红外与毫米波学报》2022年第3期534-539,共6页李立华 熊伯俊 杨超伟 李雄军 万志远 赵鹏 刘湘云 
红外专项项目(LZX20190302)。
As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R_(0)A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、...
关键词:碲镉汞红外探测器 p-on-n长波器件 焦平面性能测试 NETD 暗电流 
高工作温度碲镉汞红外探测器研究进展被引量:3
《激光与红外》2022年第5期636-640,共5页宋淑芳 黄来玉 田震 
高工作温度碲镉汞红外探测器作为最近来发展起来的新型探测器,在保证性能不变的基础上,实现了尺寸小、重量轻、功耗低等功能,成为军事侦察、无人机、无人平台的重要探测器件。本文阐述了高工作温度碲镉汞红外探测器的基本原理,重点介绍...
关键词:HGCDTE 高工作温度 中波 长波 
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