蒋红

作品数：46被引量：76H指数：4
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供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文主题：碳纳米管铟镓砷红外探测器场发射金属有机化学气相沉积更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《低温物理学报》《红外与激光工程》《半导体光电》《长春理工大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划山东省科技发展计划项目更多>>
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SiC纳米颗粒的制备与发光特性研究
《功能材料》2019年第9期9093-9096,9101,共5页刘霞 曹连振 蒋红 宋航 
国家自然科学基金资助项目(11404246);山东省自然科学基金资助项目(ZR2018LA014);山东省重点研发计划资助项目(2019GGX101073);山东省高等学校科技发展计划资助项目(J17KA188)
采用热化学气相沉积的方法首先合成了SiC纳米颗粒。接着,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、X射线电子能谱和X射线衍射谱等表征了材料的结构和组成。最后,利用光致发光谱和光致发光谱微区成像系统研究了材料的光学性质。实...
关键词：零维SiC颗粒 热化学气相沉积 光致发光 发光机制 
In_(0.82)Ga_(0.18)As材料的低温电学性质研究
《低温物理学报》2014年第6期450-454,共5页刘霞 曹连振 蒋红 宋航 
国家自然科学基金(批准号:10804068;11174224);山东省科技发展计划(批准号:2013YD01016);山东省省高校科技发展计划(批准号:J13LJ54)资助的课题~~
利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材料.研究了缓冲层退火前后In0.82Ga0.18As外延材料的低温电学性质,通过变温霍尔效应测试得到了载流子的浓...
关键词：In0.82Ga0.18As 变温霍尔效应 散射机制 
碳化硅/二氧化硅核壳结构纳米线的制备及场发射特性研究
《化工新型材料》2014年第9期89-91,共3页刘霞 曹连振 蒋红 宋航 
国家自然科学基金资助项目(10804068;11174224);山东省高校科技发展计划项目(J13LJ54);山东省科技发展计划项目(2013YD01016)
以甲烷和二氧化硅纳米球为源,铁作催化剂,成功制备了长径比达200的碳化硅/二氧化硅核壳结构一维纳米线,分析了纳米线的合成机制,并研究了纳米线的场发射特性。研究结果表明,当施加的电场为5.5V/μm时,纳米线的场发射电流密度可达0.41mA/...
关键词：碳化硅 二氧化硅 核壳结构 场发射特性 
SiC/SiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究
《光电子．激光》2014年第6期1115-1118,共4页刘霞 曹连振 蒋红 宋航 
国家自然科学基金(11174224);山东省高校科技发展计划(J13LJ54);山东省科技发展计划(2013YD01016)资助项目
采用简单的气固反应,在Si衬底上成功制备了SiC一维纳米材料。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线电子能谱(EDX)、X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)等手段研究了材料的表面形貌、结构组成和光学性质。研究结果表明,制...
关键词：SIC SIO2 核壳结构 光致发光(PL) 
新形貌二氧化硅材料的制备及光学性质研究
《青岛科技大学学报（自然科学版）》2013年第4期331-335,共5页曹连振 刘霞 逯怀新 赵加强 蒋红 宋航 
国家自然科学基金资助项目(10804068;11174224)
采用物理热蒸发二氧化硅纳米颗粒和三氯化铁催化剂混合粉末的方法,制备了两种新形貌二氧化硅材料,并用扫描电子显微镜、X射线电子能谱和光致发光等手段分别研究了合成材料的结构、组分和光学特质。研究发现,合成的材料的形貌分别为"蘑菇...
关键词：物理热蒸发 二氧化硅 顶部生长模式 光致发光性质 
GaAs微尖上碳纳米管的制备
《发光学报》2013年第7期841-844,共4页李志明 宋航 蒋红 吴萃婷 
国家"973"项目(2010CB327705);国家自然科学基金面上项目(60877007)资助
采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管。利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管进行表征。结果表明:GaAs微尖在高温下重新结晶成条状梯形GaAs阵列,生长的碳纳米管连接在相邻的GaAs阵列...
关键词：碳纳米管 热化学气相沉积 GAAS 选择液相外延 
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
《发光学报》2012年第10期1089-1094,共6页王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟 
国家自然科学基金(51072196,51072195)资助项目
通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有...
关键词：ALN GAN缓冲层 晶体结构 晶粒尺寸 
SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响
《发光学报》2012年第8期879-882,共4页贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明 
国家基础研究发展计划(2011CB301901);国家自然科学基金(51072196;51072195);863计划(2011AA03A111)资助项目
采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可...
关键词：SiO2纳米颗粒 a-AlGaN MSM紫外探测器 
氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文)被引量：2
《发光学报》2012年第7期768-773,共6页王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟 
国家自然科学基金(51072196,51072195)资助项目
采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明:在1 250℃的温度下,氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电流-电压(I-V)测试表明:...
关键词：杂质 氮化物 热扩散 
初始化生长条件对a-GaN中应变的影响被引量：2
《发光学报》2012年第6期581-585,共5页贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明 
国家基础研究发展计划(2011CB301901);国家自然科学基金(51072196;51072195);"863"计划(2011AA03A111)资助项目
利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明:与氮化处理后生长的a-...
关键词：a-GaN 各向异性 拉曼散射光谱 残余应变 
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