云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAN缓冲层

GAN缓冲层: 作品数：11被引量：9H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：郝跃张进成王占国郑有炓张荣更多>>; 相关机构：湘能华磊光电股份有限公司合肥彩虹蓝光科技有限公司西安电子科技大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《电子材料快报》《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>

GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文): 《发光学报》2012年第10期1089-1094,共6页王新建宋航黎大兵蒋红李志明缪国庆陈一仁孙晓娟; 国家自然科学基金(51072196,51072195)资助项目; 通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有...; 关键词：ALN GAN缓冲层晶体结构晶粒尺寸

非故意掺杂与半绝缘GaN缓冲层上的AlGaN/GaN异质结构的高温电子输运特性: 《科学通报》2010年第16期1584-1588,共5页付小凡王昊史林玉张忠芬张进成欧新秀郝跃; 国家自然科学基金重大项目及关键项目(60890191,60736033);国家重点科技专项(2008ZX01002-002)资助; 研究了非故意掺杂(UID)与半绝缘(SI)GaN缓冲层(BL)上的Al0.35Ga0.65N/GaN异质结构高温下的电子输运特性,应用Hall效应系统地测量了样品在高温下的电子面密度和电子迁移率随温度变化的关系.实验发现,高温下AlGaN/GaN异质结构的电子迁移...; 关键词：AlGaN/GaN异质结构高温电子输运

GaN基异质结缓冲层漏电分析被引量：2: 《物理学报》2009年第3期1959-1965,共7页张进城董作典秦雪雪郑鹏天刘林杰郝跃; 国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033;60676048)资助的课题~~; 通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载...; 关键词：ALGAN/GAN异质结 GAN缓冲层漏电成核层

AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量：3: 《物理学报》2008年第11期7238-7243,共6页席光义任凡郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维韩彦军罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 电流崩塌坑状缺陷位错缺陷

氮化工艺对GaN缓冲层生长的影响: 《半导体光电》2006年第2期170-173,共4页孙万峰顾彪徐茵秦福文马世猛; 国家自然科学基金资助项目(60476008); 以氮等离子体为氮源,以三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长GaN缓冲层。主要考察了氮化温度和氮气流量对缓冲层生长的影响。实验中采用了氢氮混合等离子体清洗的方法,提高了清洗的质量。用X射线衍射来表征晶体的结构,用原子...; 关键词：GAN 氮化缓冲层 ECR—PEMOCVD

GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期101-104,共4页刘斌张荣谢自力修向前李亮刘成祥韩平郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展规划(批准号:2004AA311080,2003AA311060,2001AA311110),国家自然科学基金(批准号:60476030,60390070,60136020),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003)和江苏省自然科学基金重点(批准号:BK2003203)资助; 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL).通过比较未采用缓冲层,同时采用低温和高温GaN缓冲层,以及低温GaN缓冲层结合...; 关键词：六方相InN MOCVD GAN缓冲层

GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜被引量：3: 《半导体光电》2003年第1期32-36,共5页秦福文顾彪徐茵杨大智; 国家自然科学基金资助项目(69976008); 　采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR PEMOCVD)技术,在α Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM...; 关键词：低温生长 AIN GAN 氢等离子体清洗 ECR-PEMOCVD

三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1: 《发光学报》2001年第S1期17-20,共4页陈振袁海荣陆大成王晓晖刘祥林韩培德汪度王占国; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~; 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...; 关键词：GAN 三甲基镓流量缓冲层 MOVPE

三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文): 《发光学报》2001年第z1期17-20,共4页陈振袁海荣陆大成王晓晖刘祥林韩培德汪度王占国; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~; 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...; 关键词：GAN 三甲基镓流量缓冲层 MOVPE

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