汪度

作品数：30被引量：61H指数：5
导出分析报告
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：MOVPE氮化镓GANMOVPE生长英文更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>
发文期刊：《光子学报》《发光学报》《云南师范大学学报（自然科学版）》《液晶与显示》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究被引量：2
《发光学报》2003年第4期380-384,T001,共6页李昱峰 韩培德 陈振 黎大兵 王占国 刘祥林 陆大成 王晓晖 汪度 
国家自然科学基金(60086001);国家重点基础研究专项经费(G20000683)资助项目
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,...
关键词：INGAN 量子点 诱导生长 发光特性 微观形貌 氮镓铟化合物 半导体 
铟镓氮薄膜的光电特性被引量：4
《Journal of Semiconductors》2002年第2期143-148,共6页韩培德 刘祥林 王晓晖 袁海荣 陈振 李昱峰 陆沅 汪度 陆大成 王占国 
国家自然科学基金 (No.60 0 860 0 1);国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 683 )资助项目~~
用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱...
关键词：MOVPE 铟镓氮薄膜 光电特性 外延生长 
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1
《发光学报》2001年第S1期17-20,共4页陈振 袁海荣 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...
关键词：GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE 
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
《发光学报》2001年第S1期29-32,共4页袁海荣 陈振 陆大成 刘祥林 韩培德 王晓晖 汪度 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1;6 990 6 0 0 2 ) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ...
关键词：形貌发展 GAN外延层 
氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文)被引量：1
《发光学报》2001年第S1期33-37,共5页韩培德 刘祥林 王晓晖 汪度 陆大成 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当...
关键词：极性 GaN/Al2O3 MOVPE 
MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED被引量：1
《高技术通讯》2001年第2期38-39,共2页王晓晖 刘祥林 陆大成 袁海荣 韩培德 汪度 
86 3计划资助项目!(86 3 715 0 0 1 0 0 10 )
采用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法 ,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管 (LED)。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ,在 2 0mA的注入电流时 ,发光波长峰值为 530nm ,半高宽为 30nm。当注入...
关键词：MOVPE INGAN 单量子阱 绿光LED 发光二极管 
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
《发光学报》2001年第z1期29-32,共4页袁海荣 陈振 陆大成 刘祥林 韩培德 王晓晖 汪度 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1;6 990 6 0 0 2 ) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ...
关键词：形貌发展 GAN外延层 
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
《发光学报》2001年第z1期17-20,共4页陈振 袁海荣 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...
关键词：GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE 
MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED被引量：2
《液晶与显示》2001年第1期1-5,共5页陆大成 刘祥林 韩培德 王晓晖 汪度 袁海荣 
"863"计划资助项目!(863-715-234-04)
报道用自行研制的LP-MOVPE设备， 在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED， 其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。
关键词：GAN InGaN AlGaN 双异质结 量子阱 蓝光LED 绿光LED MOVPE 氮化镓 发光二极管 
P型GaN和AlGaN外延材料的制备被引量：1
《高技术通讯》2000年第8期26-29,共4页刘祥林 王成新 韩培德 陆大成 王晓晖 汪度 王良臣 
863计划!( 863 715 0 0 1 0 0 10 );国家自然科学基金!(6978960 1)资助项目
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料 ,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。
关键词：P型 GAN ALGAN 外延材料 双异质结 蓝光发光二极管 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部