王晓晖

作品数：32被引量：81H指数：5
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：氮化镓GANMOVPEMOVPE生长英文更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《Journal of Semiconductors》《光子学报》《发光学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响被引量：6
《人工晶体学报》2005年第3期466-470,共5页吴洁君 韩修训 李杰民 黎大兵 魏宏远 康亭亭 王晓晖 刘祥林 王占国 
国家自然科学基金(No.60376013;60136020)资助
本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LTGaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角Ga...
关键词：缓冲层厚度 GAN 蓝宝石衬底 MOCVD 
金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征(英文)
《人工晶体学报》2004年第4期539-544,共6页黎大兵 董逊 刘祥林 王晓晖 王占国 
theNationalNaturalScienceFundationofChina (No .60 1 360 2 0 ,No .60 3760 1 3)andtheSpecialFundsforMajorStateBasicResearchProgramofChina (No .G2 0 0 0 0 683 0 6)
在不同的生长温度和载气的条件下 ,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜 ,通过能量色散谱 (EDS) ,高分辨X射线衍射 (HRXRD)和光致发光谱 (PL)对样品进行表征与分析 ,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的...
关键词：低压金属有机物气相外延方法 InAlGaN薄膜 能量色散谱 高分辨X射线衍射 光致发光谱 生长工艺 氮气 
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究被引量：2
《发光学报》2003年第4期380-384,T001,共6页李昱峰 韩培德 陈振 黎大兵 王占国 刘祥林 陆大成 王晓晖 汪度 
国家自然科学基金(60086001);国家重点基础研究专项经费(G20000683)资助项目
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,...
关键词：INGAN 量子点 诱导生长 发光特性 微观形貌 氮镓铟化合物 半导体 
钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
《发光学报》2003年第2期135-138,共4页陈振 韩培德 陆大成 刘祥林 王晓晖 李昱峰 袁海荣 陆沅 黎大兵 王秀凤 朱勤生 王占国 
国家自然科学基金(60086001;69906002);国家重大基础研究项目(G20000683)资助项目
采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6 3×1010/cm2。随着层数的增加,量子点...
关键词：INGAN 外延生长 多层薄膜 铟镓氮三元化合物半导体 量子点 钝化低温法 零维量子限制效应 
GaN的声表面波特性研究被引量：1
《发光学报》2003年第2期161-164,共4页严莉 陈晓阳 何世堂 李红浪 韩培德 陈振 陆大成 刘祥林 王晓晖 李昱峰 袁海荣 陆沅 黎大兵 朱勤生 王占国 
国家自然科学基金(60086001;69906002);国家重大基础研究项目(G20000683)资助项目
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15...
关键词：GAN 声表面波特性 氮化镓 声表面波速度 机电耦合系数 薄膜生长 声表面波器件 
铟镓氮薄膜的光电特性被引量：4
《Journal of Semiconductors》2002年第2期143-148,共6页韩培德 刘祥林 王晓晖 袁海荣 陈振 李昱峰 陆沅 汪度 陆大成 王占国 
国家自然科学基金 (No.60 0 860 0 1);国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 683 )资助项目~~
用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱...
关键词：MOVPE 铟镓氮薄膜 光电特性 外延生长 
国家自然科学基金半导体学科2001年项目概况分析被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第2期222-224,共3页何杰 王晓晖 夏传钺 
简介并分析最近几年半导体学科基金项目申请和资助的发展趋势以及 2 0 0 1年半导体学科基金申请与资助概况 ,并附 2 0 0 1年半导体学科批准资助的面上及重点项目 。
关键词：半导体学科 国家自然科学基金 项目概况分析 2001年 
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1
《发光学报》2001年第S1期17-20,共4页陈振 袁海荣 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...
关键词：GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE 
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
《发光学报》2001年第S1期29-32,共4页袁海荣 陈振 陆大成 刘祥林 韩培德 王晓晖 汪度 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1;6 990 6 0 0 2 ) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ...
关键词：形貌发展 GAN外延层 
氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文)被引量：1
《发光学报》2001年第S1期33-37,共5页韩培德 刘祥林 王晓晖 汪度 陆大成 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当...
关键词：极性 GaN/Al2O3 MOVPE 
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