云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MOVPE

MOVPE: 作品数：147被引量：117H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陆大成刘祥林汪度王晓晖宋炳文更多>>; 相关机构：中国科学院北京科技大学昆明物理研究所江苏大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

氧化镓同质外延及二维“台阶流”生长研究: 《人工晶体学报》2025年第2期219-226,共8页李悌涛卢耀平陈端阳齐红基张海忠; 国家自然科学基金(62204270);福建省科技重大专项(2022HZ027006);福建省自然科学基金(2024J01251)。; 如何同质外延生长出具有原子级平整的氧化镓(Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,是制备高性能Ga_(2)O_(3)基功率电子器件或紫外光电器件的基础。本文通过金属有机气相外延(MOVPE)技术综合调控外延生长的热力学条件与动力学参数,在Ga_(2)O_(3)衬底上...; 关键词：氧化镓同质外延二维“台阶流”生长 MOVPE 单晶薄膜原子级平整

Control of GaN inverted pyramids growth on c-plane patterned sapphire substrates: 《Journal of Semiconductors》2024年第6期92-96,共5页Luming Yu Xun Wang Zhibiao Hao Yi Luo Changzheng Sun Bing Xiong Yanjun Han Jian Wang Hongtao Li Lin Gan Lai Wang; the National Key Research and Development Program(2021YFA0716400);the National Natural Science Foundation of China(62225405,62350002,61991443);the Key R&D Project of Jiangsu Province,China(BE2020004);the Collaborative Innovation Centre of Solid-State Lighting and Energy-Saving Electronics.; Growth of gallium nitride(GaN)inverted pyramids on c-plane sapphire substrates is benefit for fabricating novel devices as it forms the semipolar facets.In this work,GaN inverted pyramids are directly grown on c-plane...; 关键词：inverted pyramids GAN MOVPE crystal growth competition model

GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展: 《人工晶体学报》2024年第1期25-37,共13页马玉麟郭祥丁召; 国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271,[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。; 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材...; 关键词：稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料 GaAsBi薄膜多量子阱材料量子点材料 MBE MOVPE

Imaging the influence of oxides on the electrostatic potential of photovoltaic InP nanowires: 《Nano Research》2021年第11期4087-4092,共6页Lukas Hrachowina Xianshao Zou Yang Chen Yuwei Zhang Enrique Barrigón Arkady Yartsev Magnus T.Borgström; Nanowires require surface passivation due to their inherent large surface to volume ratio. We investigate the effect of embedding InP nanowires in different oxides with respect to surface passivation by use of electro...; 关键词：InP nanowires OXIDES MOVPE electron beam induced current(EBIC) time-resolved photoluminescence(TRPL) FIELD-EFFECT

Electrical and optical characteristics of highly transparent MOVPE-grown AlGaN-based tunnel heterojunction LEDs emitting at 232 nm: 《Photonics Research》2021年第6期1117-1123,共7页FRANK MEHNKE CHRISTIAN KUHN MARTIN GUTTMANN LUCA SULMONI VERENA MONTAG JOHANNES GLAAB TIM WERNICKE MICHAEL KNEISSL; Bundesministerium für Bildung und Forschung(03ZZ0134C);Deutsche Forschungsgemeinschaft(CRC7879315).; We present the growth and electro-optical characteristics of highly transparent AlGaN-based tunnel heterojunction light-emitting diodes(LEDs)emitting at 232 nm entirely grown by metalorganic vapor phase epitaxy(MOVPE)...; 关键词：HETEROJUNCTION MOVPE ALGAN

GaN-MOVPE气相自由基反应的量子化学研究被引量：1: 《人工晶体学报》2021年第3期469-476,共8页刘国峰左然; 国家自然科学基金(61474058)。; 利用量子化学的密度泛函理论(DFT),对TMG/NH_(3)/H 2体系中自由基参与的金属有机气相外延(MOVPE)反应进行计算分析,特别针对H、NH 2自由基对Ga(CH 3)3(简称TMG)热解路径、氢解路径以及加合路径的影响进行研究。通过计算不同反应路径的...; 关键词：GAN MOVPE 密度泛函理论自由基气相反应

A MOVPE method for improving InGaN growth quality by pre-introducing TMIn: 《Chinese Physics B》2021年第1期551-554,共4页Zi-Kun Cao De-Gang Zhao Jing Yang Jian-Jun Zhu Feng Liang Zong-Shun Liu; Project supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant Nos.2016YFB0400803 and 2016YFB0401801);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61674138,61674139,61604145,61574135,and 61574134)。; We propose a metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) method of pre-introducing TMIn during the growth of uGa N to improve the subsequent growth of In Ga N and discuss the impact of this method in detail. Monitoring t...; 关键词：INGAN metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE)

6英寸SiC衬底上MOVPE生长GaN HEMT材料: 《半导体技术》2020年第8期623-626,637,共5页尹甲运张志荣李佳房玉龙郭艳敏高楠冯志红; 国家自然科学基金资助项目(61804139)。; 采用金属有机气相外延(MOVPE)方法在6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长了GaN HEMT材料。使用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜和微区拉曼光谱仪等对材料的表面形貌、晶体质量和应力进行了测试和表征。测试结果表明,GaN外延材料(002)面...; 关键词：GaN/AlGaN/GaN SiC GaN HEMT 应力金属有机气相外延(MOVPE)

银纳米粒子增强了氮化镓红色发光二极管: 《半导体信息》2019年第5期19-21,共3页; 日本大阪大学已将银纳米颗粒(Ag NPs)与掺euro的氮化镓(GaN:Eu)发光二极管相结合,以将红色电致发光的强度提高了2倍。(物理学,Express,第12卷,p095003,2019)。输出功率的提高归因于Ag NP上的局部表面等离子体激元(LSP)自由电子振荡与产...; 关键词：日本大阪大学 LED显示器发光二极管氮化镓电致发光带间跃迁表面等离子体激元 MOVPE

GaN-MOVPE寄生反应的密度泛函理论研究被引量：1: 《化工学报》2019年第9期3275-3282,共8页张红唐留; 国家自然科学基金项目(61474058); 利用量子化学的密度泛函理论,探讨了TMG(Ga(CH3)3)/NH3/H2体系中的气体反应机理,特别关注了氨基物DMGNH2的形成及其后的纳米粒子形核路径。通过计算不同温度下不同反应路径上Gibbs自由能的变化,从热力学和动力学两方面分析纳米粒子形核...; 关键词：密度泛函理论化学反应 GAN MOVPE 纳米形核计算化学

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