魏宏远

作品数：1被引量：6H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：MOCVD法生长MOCVDGAN蓝宝石衬底更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响被引量：6
《人工晶体学报》2005年第3期466-470,共5页吴洁君 韩修训 李杰民 黎大兵 魏宏远 康亭亭 王晓晖 刘祥林 王占国 
国家自然科学基金(No.60376013;60136020)资助
本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LTGaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角Ga...
关键词：缓冲层厚度 GAN 蓝宝石衬底 MOCVD 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部