GaN的声表面波特性研究  

Study of the Surface Acoustic Wave Properties of GaN

作　　者：严莉 陈晓阳 何世堂[2] 李红浪[2] 韩培德[3] 陈振[3] 陆大成[3] 刘祥林[3] 王晓晖[3] 李昱峰[3] 袁海荣[3] 陆沅[3] 黎大兵[3] 朱勤生[3] 王占国[3] 

机构地区：[1]航天航空总公司二院23所声表面波公司,北京100854 [2]中国科学院声学研究所,北京100083 [3]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《发光学报》2003年第2期161-164,共4页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金(60086001;69906002);国家重大基础研究项目(G20000683)资助项目

摘　　要：采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度,并通过计算得到了机电耦合系数(κ2)。所测量的声表面波速度(v)为5667m/s,机电耦合系数(κ2)为1 9%。High quality and high resistivity (0001) GaN film was grown on (0001) plane sapp hire by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). To measure the surface a coustic wave (SAW) properties accurately, metallized interdigital transducers (IDT) we re deposited on the GaN surface. The pitch of the IDT was 15μm (=λ/4,λ:S AW w avelength), and the number of IDT finger pairs was 40. The surface acoustic wave velocity on free surface and that on metal surface were measured by pulse metho d respectively, and then the electromechanical coupling coefficient was calculat ed. The surface acoustic wave velocity (v) and electromechanical coupling co efficient (κ2) were measured as 5 667m/s and 19% respectively.

关 键 词：GAN 声表面波特性 氮化镓 声表面波速度 机电耦合系数 薄膜生长 声表面波器件 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN65