绿光LED

作品数：64被引量：147H指数：6
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通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
《发光学报》2024年第5期800-808,共9页张东皓 杨东锴 徐畅 刘信佑 包立君 
国家自然科学基金(62071405)。
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN...
关键词：发光二极管 最后势垒层 空穴注入 INGAN/GAN多量子阱 V坑 
PMT阵列在水下MIMO无线光通信中的应用被引量：3
《红外与激光工程》2021年第8期293-301,共9页李金佳 叶德茂 王林宁 傅康 王永进 
江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX20_0712)。
水下无线光通信具有的高带宽、低时延等特点,已成为水下通信的可行选择。系统发送端光源由6只绿光发光二极管(LED)构成阵列,接收端由3只光电倍增管(PMT)构成阵列,形成了6×3的多输入多输出(MIMO)传输方式。在室内10 m水槽水下信道下,实...
关键词：水下无线光通信 MIMO 绿光LED PMT阵列 
载流子复合机制对InGaN绿光LED的Droop效应和调制带宽的影响
《照明工程学报》2021年第4期69-74,共6页赵勇兵 钱晨辰 
国家自然科学基金(项目编号:61904158)。
传统的ABC模型被广泛应用于研究InGaN量子阱中的载流子复合动态过程。本文从实验样品中分析数据,提取绿光LED的ABC模型参数。基于ABC模型,经过理论计算,随着有效有源区厚度或者量子阱层厚度的增加,在注入电流增大时,内量子效率IQE下降...
关键词：发光二极管 载流子复合机制 Droop效应 调制带宽 
中微公司发布用于深紫外LED量产的MOCVD设备Prismo HiT3^TM
《电子工业专用设备》2020年第5期80-80,共1页
中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”),日前宣布推出Prismo HiT3^TM MOCVD设备,主要用于深紫外LED量产。中微Prismo系列MOCVD设备目前已进入全球大多数领先的蓝绿光LED制造商,此次推出的Prismo HiT3^TM是中微Prismo...
关键词：MOCVD设备 半导体设备 绿光LED TM 量产 T3 制造商 
绿光LED有源区中极化自屏蔽效应的研究
《河北工业大学学报》2020年第5期53-57,共5页李铁 王景芹 曹冠龙 王佳佳 张紫辉 
国家自然科学基金(51777057)。
设计了一种具有自屏蔽量子限制斯塔克效应(QCSE)的绿光LED。该器件主要是用沿极性面[0001]方向生长的InN组分渐变量子垒来替代传统的GaN量子垒,从而在量子垒的内部产生极化体电荷。该极化体电荷能够抵消由极化作用在异质结界面处产生的...
关键词：绿光LED 极化效应 QCSE 自屏蔽 外量子效率 组分渐变 
量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响
《发光学报》2020年第4期429-434,共6页廖芳 莫春兰 王小兰 郑畅达 全知觉 张建立 江风益 
江西省重大科技研发专项(20165ABC28007,20171BBE50052,20182ABC28003);国家自然科学基金(61704069,51602141,11674147);中央引导地方科技发展专项资金(20192ZDD02004)资助项目。
利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和...
关键词：绿光LED 量子垒 生长速率 外量子效率 
世界首次Plessey宣布开发出硅基InGaN红光LED
《半导体信息》2019年第6期17-17,共1页
日前,英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称,宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。尽管InGaN基蓝光和绿光LED都已商用量产,但红光LED通常基于AlInGaP材料或颜色转换的红光。对于AR应用来说,由于AlInGaP材料的严重边缘效应和颜色转...
关键词：红光LED 绿光LED 腔损耗 INGAN 边缘效应 颜色转换 硅基 
InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响（英文）
《发光学报》2019年第9期1108-1114,共7页余浩 郑畅达 丁杰 莫春兰 潘拴 刘军林 江风益 
国家重点研发计划(2016YFB040060,2016YFB0400601);国家自然科学基金重点项目(61334001);江西省发展计划(20165ABC28007,20182ABC28003)资助项目~~
基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升。在35 A/cm 2的电流密度下,主波长为520 nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6%和362....
关键词：绿光LED p-AlGaN插入层(IL) 外量子效率 V坑 空穴注入效率 
高光效GaN基绿光LED专利分析
《科学与信息化》2019年第25期194-195,共2页张佳良 
如何提高GaN基绿光LED的光效一直是LED领域研究人员的重要课题,本文针对GaN基绿光LED进行了专利技术分析,研究了全球范围内相关专利的申请趋势、地区分布、申请人排名及重要申请人的技术构成,并梳理了目前提高GaN基绿光LED光效的重点技...
关键词：GAN LED 绿光 专利分析 
基于绿光LED的水中无线光通信实验教学系统设计被引量：6
《实验技术与管理》2018年第9期96-99,共4页张杨 商艳婷 易重桂 朱正 刘禄 孙晶华 王晓峰 
国家自然科学基金项目(61377085);黑龙江省教改项目;哈尔滨工程大学教改重点项目(JG2017B54)
根据LED可见光通信的特点和光在水中的传播特性,设计了一种基于可见光的水中信息传输实验系统。选取绿色LED作为系统光源,实验装置分为字符、语音和视频3个模块,各模块均由发射端和接收端组成。经实验调试,该系统传输效果较好,短距离可...
关键词：视频传输 光通信 信号传输 LED 
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